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RAM

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파일:PC133U_SDRAM.jpg
삼성전자 PC133 SDR SDRAM
파일:ram3200.jpg
마이크론 Crucial DDR4-3200 CL22
파일:지스킬_트라이던트_네오.jpg
G.SKILL ( SK 하이닉스 사용)
DDR4-3600 CL16 TRIDENT Z NEO C
[1]
1. 개요2. 용어에 대한 오해3. 휘발성과 비휘발성4. 플래시 메모리와의 차이점5. 디스크 페이징 관련6. RAM의 성능7. 다다익램과 용량에 따른 체감 성능
7.1. 1 MB 이상 ~ 1 GB 미만7.2. 1 GB 이상 ~ 64 GB 미만
8. 논리적 용도별 종류9. 물리적 특성별 종류
9.1. 휘발성 RAM
9.1.1. SRAM9.1.2. DRAM
9.1.2.1. ADRAM9.1.2.2. SDRAM
9.1.2.2.1. RDRAM9.1.2.2.2. DDR SDRAM9.1.2.2.3. LPDDR SDRAM
9.1.2.3. GDRAM
9.1.2.3.1. VDRAM9.1.2.3.2. WDRAM9.1.2.3.3. MDRAM
9.1.2.4. SGRAM
9.1.2.4.1. GDDR SGRAM
9.1.2.5. HMC9.1.2.6. HBM
9.2. 비휘발성 RAM
9.2.1. MRAM9.2.2. STT-MRAM9.2.3. PRAM9.2.4. RRAM(ReRAM)9.2.5. FeRAM (FRAM)
9.3. 사용 단자
10. 가격 변동
10.1. RAM 생산 업체 간의 가격 경쟁10.2. 가격 변동의 역사
11. 주소할당 문제12. 기타13. 관련 문서
[clearfix]

1. 개요

Random Access Memory

사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치. 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다.[2] '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 책상이 넓으면 그 위에 여러가지 물품을 올려놓을 수 있고, 이후 그 물품을 다시 회수하면 그 물품이 있었다는 기록은 사라지기 때문이다.[3]

2. 용어에 대한 오해

RAM이 '임의 접근'할 수 있는 메모리이므로 HDD 등의 장치들도 RAM의 범주에 들어가며[4], 우리가 통상 이해하는 읽고 쓸 수 있는 주 기억 장치( 메모리)만을 RAM이라 부르는 것은 틀린 것이라고 오해하는 경우가 있다.

하지만 Random Access 용어 안에 어느 위치에든 똑같은 속도로 접근하여 읽고 쓸 수 있다는 의미의 구별실익이 있으므로 FDD ODD, HDD 같은 경우는 RAM의 범주에 넣지 않는다. ROM도 접근 위치와 상관없이 같은 속도로 데이터를 읽을 수 있으므로 RAM의 하위분류로 본다.[5] HDD 등의 기억장치와 같이 어느 위치에나 직접 접근할 수 있으나 데이터의 물리적 위치에 따라 읽고 쓰는 시간에 차이가 발생하게 되는 기억장치들은 Direct Access Memory 또는 Direct Access Data Storage라고 부른다.

한편, CP/M MS-DOS의 시스템 호출 함수에서의 임의 접근은 FDD, ODD, HDD를 포함한다. 하지만 그때는 카세트 테이프 같은 순차 접근 저장 장치에 사용하는 순차 접근 개념에 대응하는 말로 쓴 것이다. RAM은 주 기억 장치로만 취급되었을 뿐이지, 보조 기억 장치와 같은 그룹으로 취급된 적은 없다.

다만 SSD를 필두로 한 플래시 메모리 보조 기억 장치의 등장으로 혼란이 있는 것도 사실이므로, 기존의 RAM을 VRAM(Volatile Random Access Memory) 혹은 더 넓은 의미인 VM(Volatile Memory)으로 칭하는 사람도 있다. 플래시 메모리는 NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)으로 칭하기에는 애매해서, 그냥 넓은 의미인 NVM(Non-Volatile Memory)으로 칭한다. 당장 NVMe만 봐도 알 수 있다.

3. 휘발성과 비휘발성

메인 메모리에 주로 사용되는 RAM은 일반적으로 전원이 차단되면 내용이 지워지는 휘발성 기억 장치이다.[6] 이런 특성으로 인해 속도는 느리지만 전원이 끊어져도 정보를 저장할 수 있는 자기 테이프, 플로피 디스크, 하드 디스크 같은 보조 기억 장치가 나오게 되었다.

실질적으로 보조 기억 장치의 용량이 아무리 커도 메모리가 적으면 PC는 제성능을 발휘하기 어려우므로 존재감이 강한 부품이었으나, PC가 점점 대중화되고, 조립 컴퓨터 보다 완제품이 많아지며, RAM 가격도 급락하는 바람에 그 존재감이 점점 옅어지고 있다. 그리고 메모리라고 하면 메모리 카드( microSD)나 USB 메모리와 착각 당하기까지 하는 것이 바로 이 메모리라는 존재이다.

전원이 꺼져도 지워지지 않는 NVRAM도 있으나 현재의 RAM을 대체하지는 않는다. 21세기 초부터 계속해서 떡밥을 뿌렸던 PRAM, MRAM, FeRAM 등이 그것. 열로 인한 물질의 상전이나 자기장(을 사용한 스핀 정렬) 같은 물질의 온갖 특성들을 동원해서 전원이 꺼져도 정보를 저장하는 방식이다. 실용화되면 처리와 저장을 동시에, 즉 CPU와 RAM과 하드디스크/ SSD의 기능을 동시에 가질 수도 있다지만 PRAM을 제외하고는 아직 연구소 바깥으로 나오지 못했고 연구소 바깥으로 나온 PRAM인 옵테인 메모리 역시 DRAM을 대체하기는 커녕 시장에서 실패하고 사업이 역사 속으로 사라졌다. 자기장을 사용한 MRAM이 2012년 후반기에 실험적으로 자동차에 사용된 정도가 고작이며 실용화되어도 하나같이 차폐 기술을 적용하지 않으면 우주선엔 사용이 불가능할 정도로 민감하며, ReRAM은 2 GB 단일 모듈을 소니-마이크론에서 시연한 수준 정도에 올라왔을 뿐이다.

STT-MRAM은 자기를 이용하는 특성 때문에 읽기/쓰기 수명이 반영구적이며 다른 차세대 램에 비해 안정적으로 작동하는 편이다. 또한 랜덤 액세스가 비교적 빠른 편이라 유력한 차세대 램의 후보로 여겨졌으나 비교적 소비전력이 큰 편이고 SRAM의 동작 속도에 비해 다소 느린 편이며 셀 집적화의 한계로 고용량을 실현하기가 어려워 현재로써는 SRAM 타입의 캐시 메모리 위주인 LLC(Last Level Cache)를 대체하는 정도가 될 것이라고 한다. 한편 PRAM은 빛을 이용하는 특성 때문에 소비 전력이 너무 커 개발이 더뎌진 상황이라 메모리뿐만 아니라 스토리지 용도로도 사용될 수 있는 차세대 램은 ReRAM이 될 것이라고 한다. 여전히 비휘발성 차세대 RAM의 갈 길은 멀지만 지속적인 연구로 상황이 점차 나아지고 있다.

4. 플래시 메모리와의 차이점

플래시 메모리는 주 기억 장치라기보단 보조 기억 장치의 일종이지만, 똑같이 읽고 쓰는 게 가능한데 왜 RAM(주기억장치로서) 취급을 안 해 주냐면, CPU에서 대개 직접 읽고 쓸 수 없으며(일부 CPU는 플래시 메모리 컨트롤러 내장) RAM처럼 바이트 단위로 접근할 수 없고 페이지 단위로 읽기/쓰기가 진행되기 때문이다. (읽기/쓰기는 페이지 단위, 삭제는 블럭 단위다.)

플래시 메모리가 RAM이 아니니까 그것과 구분하여 ROM이라고 적은 마케팅 자료도 있는데, 물론 ROM과 같은 비휘발성 메모리지만 ROM(Read Only Memory)의 정의에 부합되는 방식은 더더욱 아니지만, EEPROM까지 생각하면 그러려니 넘길 수는 있다.

5. 디스크 페이징 관련

RAM의 용량을 보조하기 위하여 더 대용량인 HDD, SSD를 통해 일부 영역을 메인 메모리 용도로 전용하여 사용하게 되는데 이를 디스크 페이징, 스왑, 스와핑 등 으로 부르며, 윈도우 운영체계 상에서는 가상 메모리로 번역되었다.

초창기 컴퓨터들은 램값이 컴퓨터 가격에 상당 부분 차지했기 때문에 이런 기법이 대세가 되었다. 그러나 주메모리로 쓰이는 램과 보조 메모리로 사용하는 저장매체의 속도 차이가 워낙 나기 때문에 이 상태가 되면 그 순간 컴퓨터의 속도가 사실상 답이 없을 만큼 느려진다. 시중에서 많이 쓰이는 DDR5 SDRAM 5600MHz의 대역폭은 44800MB/s[7] 인데, PCIe를 사용하는 M.2 NVMe방식의 SSD의 대역폭이 보통은 3500MB/s에서 고급 제품의 경우 7000MB/s를 넘어가니 적게는 6배 많게는 12배 이상의 차이가 난다. 당장 HDD를 SSD로만 갈아도 체감속도가 달라지는데, 램과의 차이는 넘사벽.[8] 그래서 주기억장치(DDR 램, LDDR 램)와 보조기억장치(ATA 하드디스크, eMMC)의 속도 차이가 워낙 많이 나던 시기(2000년대)엔 PC 최적화 팁으로 가상 메모리를 해제하라는 팁이 많이 돌았다. 다만 현재는 보조메모리가 주메모리 속도를 상당히 많이 따라잡았다[9] 다이렉트 스토리지 API 등 보조기억장치를 적극적으로 활용하는 사례가 늘고있어 가상 메모리를 완전히 해제하는것은 오히려 컴퓨터 최적화에 좋지 않다.

그러나 여전히 램의 속도는 보조기억장치보다 절대적으로 빠르기 때문에 본인이 고사양 게임이나 편집 툴, 영상 인코딩을 한다고 하면 충분한 램을 꼭 사용하도록 하자. 바로 위의 다다익램의 경우 같은 대역폭을 두 개를 장착하면 속도가 두배로 뻥튀기된다. 4800 Mbps짜리 DDR5 SDRAM을 두 개 장착하면 대역폭이 76800 MB/s. 트리플이나 쿼드의 경우 일반적인 CPU는 지원을 안 하는 경우가 많기에[10] 이 경우에는 용량은 올라가나 대역폭 속도는 두 배만 지원하는 경우가 많다. 다만 아래에도 있지만 두개의 대역폭이 다를 경우 낮은 쪽의 대역폭으로 맞추어지니 유의하자. 이렇게 빠르면서도 값싸게 가상메모리 영역을 확보하고자 하는 틈새시장이 꽤 크다 보니, 아예 이런 용도로 사용하라고 3D XPoint까지 나온 마당이다.

6. RAM의 성능

RAM 성능이라 하면 '용량'을 가장 먼저 떠올리지만, 간접적인 성능일 뿐이지 메모리 자체의 직접적인 성능이 아니다. 메모리 성능의 지표가 되는 요소는 기본적으로 메모리 레이턴시, 메모리 쓰루풋 및 대역폭으로, 동시 멀티스레딩(SMT)를 지원하는 CPU가 등장한 이후에는 메모리 레벨 병렬 처리(MLP)까지 추가되어 총 3가지로 구분한다. 거기에 메모리 엑세스 패턴별과 데이터 타입별로 레이턴시, 쓰루풋, MLP가 달라질 수 있다. 한 가지 측정 값만으로는 종합적으로 파악할 수 없다는 뜻이다. 참고로 메모리 엑세스 패턴은 크게 '순차적', '페이지 내에 랜덤', '전체 랜덤' 해서 3가지로 구분한다.

7. 다다익램과 용량에 따른 체감 성능

2010년대 이전까지의 조립 컴퓨터/견적에서는 언제나 다다익램이 정설로 통했다. 과거 128 MB도 안 되던 시절(1990년대 초중반)은 차이가 더 심했다. 사무용으로만 써도 항상 RAM 용량이 부족하다 보니 8 MB에서 16 MB로, 16 MB에서 32 MB로 올리면 체감을 못할 수가 없었다. 새 컴퓨터를 구입하면 항상 그 전보다 RAM 용량을 2배씩 올리는 것이 기본이었다. 기가바이트 단위 사용이 보편화되기 전까지 다다익램은 절대 진리였다. 기가바이트 단위를 쓰면서부터 RAM 용량에 여유가 생겨 사무용 이용자들이 더 이상 RAM에 많은 집착을 하지 않게 되었다. 하지만 최소 4 GB급 RAM을 쓰는 시대가 되었어도 RAM을 많이 쓰는 프로그램이나 웹 브라우저를 돌리면 여전히 RAM을 추가하고 싶다는 생각이 든다. RAM의 존재 이유를 느끼고 싶다면 컴퓨터의 다른 부품들(CPU, 메인보드 등)이 어느 정도 받아준다는 가정 하에 대규모 프로그램을 여러 개 켜놓고 컴퓨터에 무리를 줘 보면 된다. 과하게 RAM 잡아먹는 게임을 해 봐도 좋다. 예를 들어 배틀필드 5 같은 어느 정도 사양이 되는 게임을 플레이한다면 RAM이 16 GB 정도는 있어야 한다. CPU 내장 GPU를 사용할 경우, 시스템 메모리 일부가 GPU용으로 할당되므로 실제 사용자가 쓸 수 있는 RAM 용량이 더 줄어든다. 가령 4 GB인 시스템 메모리에 1 GB를 GPU용으로 할당한 시스템일 경우 이론적인 가용량은 3 GB이지만, OS 부팅 단계에서 이미 메모리에 상주하는 프로세스들이 존재하므로 실제 가용량은 2 GB 내외 혹은 그 이하로 더 적다. DDR4 SDRAM과 Windows 10의 대중화 시점인 2015년 이후 기준으로 4 GB 혹은 그 이하는 무엇을 하든 성능 저하가 심해서 정말 단순 사무용과 웹 서핑, 영상 감상으로만 쓰고 고전 게임 정도만 돌린다. 새로 구입한다면 단순 사무용 및 영상 감상/웹 서핑 컴퓨터에는 8 GB, 고사양 프로그램 및 게임까지 하려면 16 GB, 마음 먹고 게이밍 컴퓨터를 맞추려면 32 GB 정도가 권장되며, 원컴방송이나 그래픽 제작/편집 등을 수행하는 경우이거나 RAM 누수가 심한 프로그램을 돌리는 경우에는 32 GB 이상의 RAM이 돈값을 할 수 있다. 물론 서버라면 정말 말 그대로 많으면 많을수록 또 크면 클수록 좋아서 그냥 남는 돈 전부 램에 투자해도 돈값을 한다.

주로 메모리 슬롯 4개 이상을 지원하는 메인보드[11]에 램을 전부 장착하는걸 풀뱅크 혹은 풀뱅이라고도 한다. 풀뱅크로 사용할 경우의 장/단점은 다음과 같으며 여기서는 서버/ 워크스테이션에서 사용되는 메인보드가 아닌 일반적인 메인보드를 기준으로 설명한다.

그래서 필요하지 않은 고용량과 고사양 램을 미리 많이 사놓는 것 보다 적당한 용량과 성능의 램을 구매하여 잘 사용하다가 몇년 뒤 업그레이드가 필요할 때 과거에 비해 더 저렴해진 고사양+고용량 램으로 교체하여 성능을 향상하거나 적당한 용량과 성능의 램을 추가하여 성능을 향상 해주는 것이 압도적으로 가성비가 좋다. 그럴 수 밖에 없는게 램 또한 다른 PC 부품들과 비슷하게 시간이 흐르면 지속적으로 가격은 하락하면서 용량과 성능은 오르는 상품 중 하나이고 거기에 미리 고성능+대용량의 램을 사놨다가 DDR3, DDR4, DDR5로 바뀌어온 것 처럼 CPU+메인보드+램의 세대가 아예 바뀌어버리는 경우 차세대 램+CPU를 지원하는 신규 메인보드로 업그레이드한 이후로는 기존의 구형 램은 아무 쓸모가 없어진다.
Windows 7부터는 메모리가 부족하지 않은 이상 프로그램이 종료돼도 메모리를 반환하지 않는다. 가령 고사양 게임을 실행 시 처음에 실행할 때는 스토리지에서 읽어오므로 실행 속도가 느리지만 종료시켰다가 다시 실행하면 메모리에 남아 있는 데이터를 다시 불러들이므로 훨씬 빨리 실행된다. 즉, 다다익램이란 것이 멀티태스킹처럼 동시에 프로그램을 사용하는 사람에게만 이득이 되는 것은 아닌 셈이다.

Windows 사용자라면, 자신의 컴퓨터에서 RAM 점유율이 70%[12] 이상을 보일 시 RAM 용량이 부족하다는 신호로 간주하고 RAM 업그레이드를 하는 것이 좋다. RAM의 용량이 꽉 차는 RAM 오버플로는 블루스크린을 일으키는 대표적인 원인이다. 따라서 컴퓨터는 최대한 RAM을 덜 쓰려는 시스템을 갖추고 있고, 안정된 작동을 위해 RAM 용량이 부족하지 않더라도 최대한 가상 메모리 등을 끌어다 쓴다. RAM 잔여량이 부족해지면 더욱 적극적으로 가상메모리를 사용하게 되고, 그에 따른 성능 저하가 관측되는 시점이 RAM 용량의 70% 정도를 사용할 시점인 것이다.
OS 기준 설명표 DOS Win 1.x~3.x Win95 Win98~Me WinNT 3.x~4.0 Win2k~XP Vista~7 Win8.x Win10 Win11
~640 kB O X
~16 MB O X
~64 MB [13] O X
~256 MB [14] [15] O X
~1 GB X [16] O X
~4 GB X O
~64 GB X [17] O
~128 GB X [18] O
~512 GB X O
~6 TB X O

===# 1 MB 미만 #===
2010년대 기준 골동품 수준으로 오래된 컴퓨터 이외에는 찾아볼 수 조차 없는 영역이 되었으며 Windows 3.0 이후의 운영체제는 제대로 쓸 수가 없다.

* 4 kB
* Apple I, II에 탑재된 램의 최소 용량이다.

7.1. 1 MB 이상 ~ 1 GB 미만

2020년대에 들어선 현재로서는 고전게임용 컴퓨터나 특수 설비 외에는 찾아보기가 극히 어려워졌다. Windows XP 이후의 운영체제들은 간단한 실사용이 가능하며 Windows 8부터는 켜두는 것만 가능하다.

7.2. 1 GB 이상 ~ 64 GB 미만


===# 64 GB 이상 #===

8. 논리적 용도별 종류

해당 RAM 분류는 물리적인 특성과는 상관없이, 용도에 따라 분류한 것이다.

8.1. 메인 메모리

시스템이 동작하는데 있어서 반드시 존재해야 할 RAM으로, 얼마나 중요한 용도인지 잘 모르겠다면 컴퓨터 시스템을 종료하고 장착되어 있던 메인 메모리를 모두 분리해서 OS 재부팅을 시도해보자. 그러면 부팅은 커녕 전원을 켜도 아예 아무런 화면조차 표시되지 않으며, 시스템에 따라 비프음이 울리기도 한다. 그만큼 컴퓨터에 탑재된 각종 메모리들 중에서 가장 중요한 메모리이므로 시스템 메모리라고도 부른다. 한자어로 '주 기억 장치'라고도 부르며, BIOS가 담겨진 ROM과 함께 취급하고 있다. 읽기만 가능한 ROM(Read Only)과는 달리 Random Access 즉, 임의 접근하여 자유롭게 읽고 쓸 수 있다는 특징을 기억해야 한다.

컴퓨터는 CPU에서 이뤄진 연산을 메모리에 기록하며 또 읽어온다. 잘 이해가 되지 않는다면, 복잡한 계산을 할 때 공책에 풀이해 가면서 하는 걸 생각하면 된다. 계산한 내용을 기억까지 할 수 있는 두뇌와 달리, CPU는 오직 계산만이 가능하고 기억하는 역할은 메모리가 전담해야 하기 때문에 실제로는 이 예시보다 훨씬 중요한 역할이다. 메모리가 없으면 컴퓨터는 동작 자체를 못한다. 당연히 램의 용량이 클수록 그 용량만큼 동시에 기록하고 연산하는 것이 가능하다는 것이며 고용량 램일수록 컴퓨터의 성능이 올라가고 가격이 비싸진다.

8.2. 버퍼 메모리

서로 다른 두 곳에서 데이터를 이동할 때 그 데이터가 누락되지 않고 완전하게 이동할 수 있도록 임시로 보관하기 위한 버퍼 기능을 수행하는 RAM. 컴퓨터가 여러 장치들로 구성되어 있는 한, 버퍼라는 존재를 배제할 수 없을만큼 매우 중요한 용도이다.

RAM 범주에서 버퍼 용도로 사용된 곳은 대표적으로 HDD 버퍼, SSD 캐시 겸 버퍼[43], 그래픽 카드의 그래픽 메모리에 일부 영역으로 할당된 프레임 버퍼가 있지만, 메인 메모리로 사용되는 시스템 메모리도 일부 영역은 버퍼로 사용된다.

8.3. 캐시 메모리

시스템의 성능 향상을 위해 캐시 기능을 수행하는 RAM으로, 메인 메모리와는 다르게 이것이 없어도 작동하는데 문제는 없다. 다만, 속도가 느려지기 때문에 더 나은 사용자 경험을 위해 사실상 필수가 된 용도라고 볼 수 있다.

CPU와 메인 메모리의 데이터 교환 속도를 향상시키기 위해 오직 캐시 기능만을 수행할 전용 메모리 즉, 캐시 메모리가 등장했으며, 그것도 모자라 CPU 내부에 내장되었기 때문에 현세대 시스템에서는 캐시 메모리를 직접 보기가 어려워졌다. 주로 SRAM이 사용된다.

8.4. 램 디스크

잦은 I/O 처리로 인해 무리를 받는 HDD나 SSD를 대신하면서 보다 빠른 속도로 처리하기 위해 스토리지/드라이브 기능을 수행하는 RAM. 메인 메모리의 여유 용량을 이용하는 소프트웨어 방식과 별도의 RAM으로 이용하는 하드웨어 방식이 있다. 자세한 내용은 램 디스크 문서 참조.

이와 반대 개념으로 보조 저장 장치 용도인 HDD나 SSD가 메인 메모리 기능을 수행하는 가상 메모리가 있지만, RAM이 할 수 있는 역할은 아니므로 유의할 것.

9. 물리적 특성별 종류

해당 RAM 분류는 용도에 상관없이, 물리적인 특성에 따라 분류한 것이다.

데스크탑 PC와 일반 노트북에는 #DDR SDRAM, 스마트폰 태블릿 컴퓨터와 저전력 노트북에는 #LPDDR SDRAM, 그래픽 카드에는 #GDDR SGRAM이 주로 사용된다.

9.1. 휘발성 RAM

Volatile Random Access Memory (VRAM)
휘발성 RAM을 일컫는 용어.

9.1.1. SRAM

Static Random Access Memory.

1965년 IBM의 아놀드 파버와 유진 슐리그는 트랜지스터 게이트와 터널 다이오드 래치를 이용해 최초로 메모리 셀을 만들었다. 그해 IBM의 벤자민 아구스타와 폴 카스트루치가 그 메모리 셀을 이용해 최초의 16비트 정적 램 SP95 칩을 상용화했다.

정적 램이라고도 부르며, 내용을 한번 기록하면 전원이 공급되는 한 내용을 그대로 가지고 있는 램이다. 기본적으로 트랜지스터 등으로 구성된 논리 회로로 이루어지며 외부 신호에 따라 내부의 값을 유지하는 식으로 정보를 기록한다. 기억 능력을 가진 논리 회로를 특별히 플립플롭[44]이라고 부른다.

SRAM은 DRAM의 100배 이상으로 접근 속도가 빠르지만[45] 구조가 복잡하여 공간을 많이 차지하므로 집적도를 높이기 어려워 가격이 비싸고 대용량으로 제작하기가 어렵다. 그래서 빠른 속도가 요구되는 캐시 메모리(Cache Memory)에 주로 사용된다. CPU 스펙에 표시되는 L1, L2, L3 등의 캐시 메모리가 대표적. 물론, SRAM이라서 무조건 캐시에만 써먹으라는 법은 없으며 메모리가 많이 필요하지 않은 곳에는 여전히 메인 메모리로도 쓰인다. 특히 임베디드에서는 SRAM을 내장한 칩도 여전히 흔하다. DRAM과 달리 리프레시를 위한 추가 회로가 필요하지 않다는 장점이 있다.[46] 이런 장점들 덕분에 별도의 수은전지 등의 전원을 SRAM에 연결해서 보조 기억장치처럼 쓰는 사례도 많았고, 이러한 방식은 옛날 수 많은 게임 카트리지 등에 사용되었으며 대표적으로 초기의 포켓몬스터 시리즈가 있다.

CPU에 내장된 캐시 전용 SRAM의 스펙은 대개 용량만 표기되고 속도가 표기되어 있지 않은데, CPU 코어 클럭 속도와 같은 속도로 동작하기 때문에 속도를 따로 표기하지 않는다. 그러나 인텔 7세대 코어 i 시리즈 이후부터 캐시 클럭 속도가 코어 클럭 속도보다 약간 떨어지는 속도로 동기화되기 시작해서 따로 구분해야 한다. AIDA64 메모리 벤치마크를 통해 특정 메모리 엑세스 패턴 기준으로 측정은 해볼 수 있는데 수 백 GB/s를 가뿐히 넘긴다. 단, 메모리 엑세스 패턴에 따라 측정 값이 달라질 수 있기 때문에 서로 다른 마이크로아키텍처끼리 비교하기가 부적절함을 감안해야 한다. 2013년 6월에 3.00 버전으로 업데이트되기 전까지는 싱글스레드 기반에 순차 접근 패턴으로 측정되어서 괴리감이 더 컸다. 업데이트 이후에는 멀티스레드 기반에 페이지 단위의 랜덤 접근 패턴으로 변경되어서 괴리감이 그나마 덜 해졌을 뿐이지 종합적으로 판단하기 어려운 것은 마찬가지이다.

CPU 코어 외부에 인접된 캐시 메모리와 CPU 코어 내부에 있는 레지스터는 다른 개념이다.

9.1.2. DRAM

Dynamic Random Access Memory.

1966년 IBM 왓슨 연구소의 로버트 데나드 박사가 발명해, 1968년 DRAM에 대한 특허를 취득했다. 최초의 DRAM 상용 제품은 1969년 이 특허의 사용권을 취득한 Advanced Memory System에서 나왔다. IBM의 특허는 1985년 6월 4일에 만료되었다.

동적 램은 기록된 내용을 유지하기 위하여 주기적으로 재충전(Refresh)이 필요하다. 기본적으로 축전기(Capacitor)로 이루어지며 이것의 충전 상태로 정보를 기록한다. 계속 재충전해야 하는 이유는 캐퍼시터가 시간이 지나면 저절로 방전되기 때문.[47]

동적 램은 속도가 SRAM보다는 느리지만 구조가 간단하여 집적도를 쉽게 높일 수 있다. SRAM이 보통 트랜지스터 사이에서 루프를 돌리고 '상정되지 않은 입력'을 걸러내는 게(SDRAM의 경우 클럭에 대한 반응도) 필요한 플립플롭의 구조상 최소 4개 이상으로 셀 하나를 만들지만 DRAM은 트랜지스터 하나와 캐패시터 하나로 만들어져 있기에 고집적화가 가능하다. 그나마 커패시터도 트랜지스터 제조 시 생길 수밖에 없는 기생 커패시터를 극대화하여 활용하기에 필요 면적이 매우 작다. 또한 정적 램에 비해서 가격이 매우 싸고 전력 소비도 그렇게 많지 않아 CPU의 주 기억 장치로 가장 많이 사용되고 있다. 파워 서플라이와 같은 다이오드 계열이 기초 소자 중 가장 비싸다.

우리가 말하는 '램'은 보통 DRAM이다. DRAM 구조에 따라 비동기식이니 동기식이니, 동기식 중에서도 SD이니 RD이니 DDR이니 붙는 것.
9.1.2.1. ADRAM
Asynchronous Dynamic Random Access Memory - 비동기식 DRAM
1969년부터 출시된 최초의 DRAM 규격으로, SDRAM이 등장한 현재 시점에서는 이와 구분하기 위해 비동기식 DRAM으로 명명되었지만 당시에는 그냥 DRAM이라고 불렀다. 1990년대 중반까지 활발하게 사용되었으며, SDRAM이 등장한 이후에도 1990년대 말까지는 간간히 보이다가 2000년대 이후부터 SDRAM 계열로 완전히 대체되었다.

메인 메모리용으로는 1995년 인텔 430FX 칩셋을 통해 처음 지원되었으며, 그래픽 카드에서는 1990년대 후반까지 사용되었다. 비동기식 DRAM 시대의 마지막 전성기였다.
9.1.2.2. SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory (SRAM이랑 DRAM을 합쳐 놓은 게 아님)

|| 규격 || 실효 클럭 || 전압 || 개발 || 표준화 || 출시 || 적용 ||
PC-66 SDRAM 66 MHz 3.3 V 1992년 1993년 1993년 1996년
PC-100 SDRAM 100 MHz 1998년
PC-133 SDRAM 133 MHz 1999년


SDRAM의 개념 자체는 1970년대 인텔이 IBM의 DRAM에 대한 특허의 사용권을 취득해 제작한 반도체에서 기인한다. 그래서 기술 구성 요건의 일부가 IBM의 DRAM 특허에 걸린다. 이 제품이 나온 이후 여러 제조사에서 동기 방식의 다양한 DRAM을 생산했다.

오늘날 SDRAM은 1992년에 삼성전자에서 개발되어 1993년 JEDEC에서 채택된 표준안을 따른다. 이름에서 알 수 있듯이 기존 DRAM의 파생형이다. 기존 DRAM은 변화가 생기면 최대한 빠르게 반응하는 비동기식 전송 방식이었으나 이것은 동기식 전송 방식을 이용해 클럭 신호와 동시에 반응하므로 컴퓨터의 시스템 버스와 동기화된다. 동기식 DRAM 방식은 기존 비동기식 DRAM보다 빠른 속도로 진행이 가능하며, 이를 통해 칩에 더욱 복잡한 형태의 명령을 주는 것이 가능해진다. 비표준 규격으로 166 MHz의 PC-166 SDRAM도 있다.

인텔에서는 1996년 펜티엄 시리즈와 조합되는 430VX 칩셋부터, AMD에서는 1996년 K5 시리즈와 조합되는 VIA의 Apollo VP 칩셋부터, 애플 매킨토시 계열에서는 1997년 파워맥 G3, 1998년 파워북 G3s부터 지원되었다.

2000년에 DDR 방식의 메모리가 나오자 기존의 SDRAM을 구분하기 위해 SDR(Single Data Rate) SDRAM으로 통용되고 있는데, 클럭 사이클당 한 번만 전송을 하는 것에서 명명했다.
9.1.2.2.1. RDRAM
미국의 반도체 회사인 램버스에서 1992년에 개발한 고속 데이터 전송 메모리다. 대한민국에서는 삼성전자 SK하이닉스가 제조 기술을 보유하고 있다. 자세한 내용은 RDRAM 참조.
9.1.2.2.2. DDR SDRAM
Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

|| 규격 || 프리
페치 || 전압 || 개발 || 상용화 || 동작속도[49] || 적용 ||
DDR 2n 2.5 V 1998년 2000년 200 MT/s 2000년
266 MT/s 2001년
333 MT/s 2002년
400 MT/s 2003년
DDR2
(또는 PC2)
4n 1.8 V 2001년 2003년 400 MT/s 2004년
533 MT/s 2004년
667 MT/s 2005년
800 MT/s 2006년
1066 MT/s 2007년
DDR3
(또는 PC3)
8n 1.5 V 2005년 2007년 800 MT/s ?
1066 MT/s 2007년
1333 MT/s 2009년
1600 MT/s 2011년
1866 MT/s ?
2133 MT/s ?
DDR3L 1.35 V 2010년 2011년 1333 MT/s 2012년
1600 MT/s 2013년
DDR3U 1.25 V ? 2010년 1333 MT/s ?
DDR4
(또는 PC4)
1.2 V 2011년 2012년 1600 MT/s ?
1866 MT/s ?
2133 MT/s 2014년
2400 MT/s 2016년
2666 MT/s 2018년
2933 MT/s 2019년
3200 MT/s 2019년
DDR5 16n 1.1 V 2018년 2020년 4800 MT/s 2021년
5333 MT/s 2022년
5866 MT/s 2022년
6400 MT/s 2022년

1998년에 개발되어 2000년에 표준화 및 출시된 기존 SDRAM의 개선판 규격. 기존 SDRAM에 비해 메모리 대역폭이 2배 늘어난 것이 주된 특징으로, 원래는 SDR SDRAM에서의 성능 향상을 위해 메모리 셀 2개를 엮어 대역폭을 2배로 늘리려고 했었는데 이는 I/O 버퍼의 속도도 2배가 되어야 한다는 말이다. 하지만 그 시절의 기술력으로는 한계가 있었고 이를 해결하기 위한 방법으로 상승 에지(Rising Edge)와 하강 에지(Falling Edge) 두 개를 모두 데이터를 전송하는 용도로 사용한 것이 이 DDR SDRAM의 기원이다. SDR SDRAM은 상승 에지에서만 데이터를 전송한다.

당시 인텔이 1999년부터 RDRAM을 밀어주고 삽질[50]하는 바람에 2000년 11월에 AMD가 DDR SDRAM을 지원하는 AMD-760 칩셋을 내놓았으며, 2001년에 VIA도 인텔 CPU 호환용인 Apollo Pro 266 칩셋과 AMD CPU 호환용인 VIA KT266 칩셋을 내놓았다. 2002년에 들어서야 인텔도 DDR SDRAM 지원 칩셋[51]을 뒤늦게 투입하여 현재는 PC계의 대세 메모리로 자리 잡았다.

2004년에 기존 DDR에서 업그레이드된 DDR2 SDRAM이 출시되었으며, 2007년에 DDR3 SDRAM, 2014년에 DDR4 SDRAM까지 출시되었다. DDR에서 DDR2로, DDR2에서 DDR3으로의 전환 초기에는 신 규격 메모리 가격이 비싸고 구하기도 쉽지 않아 보급 속도가 느린 편이었으며, 신형 소켓 메인보드도 한동안은 DDR/DDR2와 DDR2/DDR3을 사용하는 제품이 동시에 출시되었다. 2015년부터는 DDR4 SDRAM 가격이 빠르게 하락되면서 동년에 중저가 이하의 신형 메인보드에도 DDR4 메모리를 기본 지원되기 시작했으며, AMD도 AM4 기반 메인보드부터 DDR4를 지원하기 때문에 DDR3 메모리 시절보다 빠른 속도로 보급되고 있다. 서버/워크스테이션에는 일반 소비자용 제품보다 한 세대 정도 앞서 신규격 메모리가 적용되는 경우도 있다.[52] DDR4는 이전의 DDR3과 구조적으로 큰 차이가 없다.

DDR2 ECC RAM 중에는 높이가 낮은 FB-DIMM이라는 규격이 있는데, 방열 면적이 작아서 그런지 발열로 악명높았다. 사용 환경에 따라 80~90도를 넘나들기도 한다. 그래서 방열판을 달거나 CPU와 일렬로 배치해 같이 냉각시키거나 슬롯을 기울여 배치하는 등 서버/워크스테이션 제조사는 RAM 냉각을 위한 노력을 기울여야 했다. 이 때는 척 봐도 달랐지만 이후에는 ECC RAM도 일반적인 RAM과 모양이 비슷해진다. 그래도 외형으로 구분하는 방법은 있다. ECC Unbuffered RAM은 모듈 자체는 UDIMM이라고 하고 일반적인 RAM보다 메모리 모듈이 1개 많아 홀수개이다. ECC Registered RAM(ECC/REG RAM이라고도 함)은 모듈 자체는 RDIMM이리고 하고 메모리 모듈이 일반 RAM의 것보다 훨씬 많고 불규칙하게 배치되어 있다. 이외에 노트북용 짧은 RAM 규격은 SO-DIMM이라고 한다.

최종 소비자용 DDR 메모리는 메모리 칩셋과 칩셋을 제어하는 컨트롤러로 구성되는데, 칩셋에 대한 특허는 IBM 인텔이, 컨트롤러는 램버스가 상당 부분 소유하고 있다. 이 중 IBM과 인텔은 제품 수량 당 일정 금액을 사용료로 챙기고, 램버스는 컨트롤러 제조사와 부착업체에 매년 상당한 금액의 사용료를 정액 부과하고 있다. 다만, DDR4는 삼성전자에서 개발한 안이 JEDEC에서 표준으로 채택되어 삼성전자 입장에선 DRAM의 원천 기술에 대한 특허 사용료를 제외하곤 특허 사용료 부담이 크게 경감되었다고 한다. DRAM 원천 기술은 IBM이 아직까지도 유효하다. 이 특허는 DRAM 자체에 대한 특허라서 피해나갈 길이 없다.

2020년 7월에 DDR5 SDRAM의 표준이 정식 발표되었다. 보드나라 기사

2020년 10월에 SK하이닉스에서 세계 최초로 DDR5 SDRAM를 출시했다. 한국경제 기사

2021년 3분기에 팀그룹에서 DDR5 SDRAM 16GB를 출시할 예정이다. 보드나라 기사

DDR5는 용량과 대역폭을 향상하고 전압을 낮추고, 그 외에도 몇가지 추가적인 기능을 제공한다. DIMM 하나 당 64bit의 대역폭을 쪼개서 32bit의 듀얼 채널로 구성되어있다. 램 자체는 듀얼 채널 구성이지만 예전 DDR처럼 2개를 장착해야 진짜 듀얼 채널로 작동한다. 그리고 램 다이 내에 ECC 컨트롤러를 내장하여 램 다이 내부의 데이터에 대한 무결성을 유지한다. 다만 기존과 같이 램-메모리 컨트롤러간의 통신에 대한 ECC 제어는 별도사양이다. on-DIMM 전압 조정기가 장착되어 있어, 메인보드의 전원 부담을 덜어줄것으로 기대된다.

핀 수는 288개로 DDR4와 같으나, 핀 배열이 완전히 바뀌어 호환성은 전혀 없다. 다만 ASUS에서 DDR4 메모리를 DDR5 슬롯에 꽂을 수 있게 하는 어댑터를 개발 중인 것으로 보인다. PCGAMER 기사 그리고 같은 클럭으로 구동을 가정해도 DDR5가 명령 최적화 등을 통해 DDR4 대비 약 1.36배 빠를 것이라는 추산이 있다.

2024년 현재까지는 DDR5 규격의 메모리는 메모리 컨트롤러-메모리간 클럭 동기화 모드[53]가 1:1로 되지 않고, 2:1이 최대치이다. 정확히는 DDR5 램이 지원하지 않는게 아니라 CPU 멤컨 수율이 딸려서[54] 지원이 안 되는 것이다. 1:1 비율일때가 최대치의 성능을 내기에 2:1 모드로 작동하게 되면 DDR4 수준으로의 클럭 하향 손실이 어느정도 있는 편이다. 즉 채널수에 맞게 혹은 채널수보다 적게 메모리를 장착한게[55] 아닌이상 메인보드 메모리 슬롯 칩셋에 DDR5 규격의 메모리를 풀뱅시키면 클럭이 무조건 내려가버린다.[56] 때문에 조립 컴퓨터/견적을 맞출때는 DDR5 메모리를 2개만 장착하는 것이 낫다. 메모리 용량이 문제라면 32 GB 이상의 고용량 메모리를 장착시키면 된다. DDR4는 채널수를 넘어서 풀뱅크시 순정램은 이상없으나 튜닝램 듀얼킷일경우 다소높은 확률로 오류가 뜬다. 쿼드킷을 장착해야 안정적으로 사용이 가능하다.
DDR4와 DDR5 메모리 성능 비교 동영상. DDR4 vs DDR5 벤치마크.
9.1.2.2.3. LPDDR SDRAM
|| 규격 || 실효 클럭 || 전압 || 전송속도[57] || 개발 || 표준화 || 적용 ||
LPDDR SDRAM 400 MHz 1.8 V 3.2 GB/s 2005년 2006년 2007년
LPDDR2 SDRAM 800 MHz[58] 1.2 V 6.4 GB/s 2008년 2009년 2010년
LPDDR3 SDRAM 1600 MHz[59] 1.2 V 12.8 GB/s 2011년 2012년 2012년
LPDDR4 SDRAM 3200 MHz[60] 1.1 V 25.6 GB/s 2013년 2014년 2015년
LPDDR4X SDRAM 4266 MHz 1.1 V 34.1 GB/s 2016년 2017년 2017년
LPDDR5 SDRAM 6400 MHz[61] 가변(최대1.1 V) 51.2 GB/s 2018년 2019년 2020년
LPDDR5X SDRAM 8533 MHz[62] 가변(최대1.1 V) 68.3 GB/s 2021년 2021년 2022년
LPDDR5T[63] SDRAM 9600 MHz 가변(최대1.1 V) 76.8 GB/s 2023년 1월 미정 미정


데스크탑 노트북에 사용되는 일반 DDR SDRAM이 아닌 스마트폰이나 태블릿 컴퓨터 용도로 모바일 플랫폼을 위해 칩의 크기가 기존 메모리보다 훨씬 더 작은 크기이면서 저발열, 저전력 버전의 메모리로 개발된 LPDDR(Low Power DDR)도 나왔다.[64] 본래 모바일 DDR(Mobile DDR)로 명명된 규격이었으나 LPDDR2부터 현재의 명칭으로 변경되면서 이전 규격도 DDR 앞에 LP가 붙는 걸로 통일되었다. LP는 LOW Power의 약어다.

LPDDR 메모리 컨트롤러가 탑재된 칩셋 자체는 2007년에 발표된 퀄컴 스냅드래곤 1세대 S1 시리즈부터 처음 적용되었고, 제품화는 2009년 여름에 출시된 아이폰 3GS부터 등장하기 시작했으며, 이후에 나온 스마트폰, 아이패드 갤럭시 탭을 비롯한 태블릿 컴퓨터 등의 다양한 모바일 기기에 탑재되고 있다. 2010년 말에는 LPDDR2 규격이 팬택의 베가 X에 처음 채택되었고, 2012년 가을에는 LPDDR3 규격이 넥서스 10에 처음 채택되었으며, 2015년 초에 들어서 LPDDR4 규격이 LG G Flex 2에 처음 채택된 이후 안드로이드 진영과 애플 진영 모두 자사의 플래그십 스마트폰에 LPDDR4 SDRAM 채택률이 점점 높아지고 있다. 2017년부터 LPDDR4X SDRAM이 탑재된 스마트폰들이 등장하고 있고, 2020년부터는 엑시노스 990, 스냅드래곤 865를 필두로 LPDDR5 SDRAM이 채택된 스마트폰들이 출시되고 있다. 그리고 2022년 상반기에 삼성전자가 기존의 LPDDR5보다 클럭이 높은 LPDDR5X를 출시했다.[65] 다만 갤럭시 S22 시리즈에는 탑재하지 않았다가 2023년 2월 갤럭시 S23 시리즈와 2023년 8월 갤럭시 탭 S9 시리즈에 LPDDR5X SDRAM[66]를 탑재하여 출시되었다.

이후 2023년 1월경 SK하이닉스에서 기존의 LPDDR5X보다 더 빠른 LPDDR5X를 개발 완료했다고 발표했다. 표준 명칭은 아니지만 자체 상품명으로 우선 "LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)" 라고 명명하여 출시할 예정이다.[67] https://news.skhynix.co.kr/presscenter/sk-hynix-lpddr5t-release, https://news.skhynix.co.kr/post/lpddr5t-performance-verification SK하이닉스에서는 2026년 이후 출시 예정인 LPDDR6에서 구현 가능하다고 내다봤으나 SK하이닉스의 LPDDR5의 확장 버전인 LPDDR5T가 연내 양산이 시작되면 시기를 3년이나 앞당기게 된다. 다만 2023년 시점으로는 아직 개발 단계여서 표준화에서 적용 단계까지 가려면 최소 2024~2025년은 되어야 한다.

한편 2023년 10월 마이크론에서 기존의 LPDDR5X 보다 더 빠른 LPDDR5X 개량형 모델을 공개했다. 이는 앞서 SK하이닉스가 개발한 LPDDR5T와 동일한 성능(9600 MHz)을 발휘한다.

2023년 10월 20일 삼성에서도 9600 MHz(9.6 Gbps)로 동작하는 LPDDR5X를 공개했다.
9.1.2.3. GDRAM
Graphics Dynamic Random Access Memory. 그래픽 DRAM.
9.1.2.3.1. VDRAM
Video Dynamic Random Access Memory. 비디오 DRAM.

그래픽 하드웨어에 있는 프레임 버퍼를 저장하는데 사용되었던 DRAM의 이중 포트 버전. 2개의 데이터 출력 핀 세트가 존재해서 동시에 사용할 수 있는 원리인데 첫 번째 포트인 DRAM 포트는 기존 DRAM과 매우 유사한 방식으로 호스트 컴퓨터에 의해 액세스되며, 두 번째 포트인 비디오 포트는 일반적으로 읽기 전용이며 그래픽 칩셋에서 고성능의 직렬화된 데이터 채널을 제공하기 위해 사용되었다.

1986년 IBM의 RT PC부터 처음 사용된 이후 당시에는 고급 워크스테이션에나 볼 수 있을 정도로 상당히 비싼 규격이라 널리 채택되지 못 했으나, 1990년대에 들어서야 널리 채택되었다. 비록 1990년대 중후반부터 후속 규격들에게 밀려 더이상 채택되지 않게 되었지만, 그래픽용 메모리의 기본적인 원리가 정립된 의의 있는 규격이라고 볼 수 있다.

현재는 VRAM을 그냥 그래픽용 메모리를 지칭하는 것으로 주로 사용되고 있다.
9.1.2.3.2. WDRAM
Window Dynamic Random Access Memory. 윈도우 DRAM.

그래픽 카드에 사용된 VRAM의 변종 규격. 이전 VRAM보다 성능이 좋고 비용이 적게 들도록 설계되었으며, 최대 25% 높은 대역폭을 제공했었다.
9.1.2.3.3. MDRAM
Multibank Dynamic Random Access Memory. 멀티뱅크 DRAM.

MoSys가 개발한 특수 DRAM. 인터리브 방식으로 작동하는 256 KB의 작은 메모리 뱅크로 구성되어 그래픽 카드에 적합한 대역폭을 저렴한 비용으로 SRAM과 같은 메모리에 제공하는 규격이다. 또한 이름답게 단일 클록 사이클에서 두 뱅크에 대한 작업을 허용하여 액세스가 독립적인 경우 이들을 동시에 액세스 하는 것이 가능하다. Tseng Labs ET6x00 칩셋이 탑재된 그래픽 카드에 사용되었다.
9.1.2.4. SGRAM
Synchronous Graphics (Dynamic) Random Access Memory. 동기식 그래픽 (D)RAM.

|| 규격 || 전압 || 모듈 타입 || 비트레이트 || 개발 || 표준화 || 적용 ||
SGRAM ? V ? 레인 83~275 Mbps 1994년 ? 1995년


그래픽 하드웨어를 위한 특화된 SDRAM 형태로 시스템 메모리용 말고도 그래픽 카드에서 볼 수 있는 그래픽 전용 메모리도 존재한다. 이름에 걸맞게 그래픽 카드에 있는 텍스쳐 메모리 및 프레임 버퍼와 같은 그래픽 관련 작업을 위해 설계되었다. 다른 비트에 영향을 주지 않고 지정된 비트 평면에 쓰기 작업을 수행하는 비트 마스킹, 단일 색상으로 메모리 블록을 채우는 블록 쓰기 작업 등의 기능이 추가되었다.

한 번에 읽기 또는 쓰기 동작 한 가지만 가능한 싱글 포트 구조로 이루어진 일반 DDR 메모리와는 달리 그래픽 DDR 메모리는 듀얼 포트에 가까운 구조로 되어 있어 입출력을 동시에 할 수 있다. 그러니까 실제 대역폭이 일반 DDR에 비해 두 배. 사실 이는 절반만 맞는 표현으로, I/O 포트는 1개 존재하나, Activate 된 Page를 2개 가질 수 있다. 일반 DDR 메모리가 Activate Page를 1개만 가질 수 있는 점을 생각하면 Precharge 후 Activate 하는 시간을 아낄 수 있으므로 대역폭 확대에 도움이 되지만, 엄밀히 따지면 듀얼 포트 구조와는 다르다. 동시에 쓰고 읽기가 가능한 포트가 따로 존재하지는 않는다. 이는 일반적으로 기존에 존재하던 비디오램이 프레임 메모리에 쓰고, 화면 출력을 위해 읽을 수 있는 듀얼 포트 구조임을 반영한 것이다. 따라서, 기존의 VRAM 및 WRAM과는 달리 싱글 포트이지만, 한 번에 두 개의 메모리 페이지를 열 수 있으므로 다른 비디오 RAM 기술의 듀얼 포트와 비슷한 효과를 구현할 수 있는 구조인 것. 쉽게 비유하면, 단방향 무전기와 양방향 전화기의 차이라고 할 수 있으나 정확한 표현은 아니다.

1994년에 히타치의 HM5283206, NEC µPD481850를 통해 처음 소개되었으며, SGRAM이 탑재된 가장 오래된 제품은 1995년 12월에 투입된 소니 플레이스테이션 1의 2세대 리비전 모델인 SCPH-5000이다. 그래픽 카드의 경우 ATI는 1996년 RAGE II 시리즈부터, NVIDIA는 1997년 RIVA 128부터 탑재되었다가 2002년 지포스 4 시리즈를 마지막으로 더 이상 채택되지 않고 있다.
9.1.2.4.1. GDDR SGRAM
Graphics Double Data Rate Synchronous Graphics (Dynamic) Random Access Memory.

|| 규격 || 전압 || 모듈 타입 || 비트레이트 || 개발 || 표준화 || 적용 ||
GDDR 2.5 V 64 레인 300~950 Mbps 1998년 1999년 2000년
GDDR2 1.8 V 64 레인 400~1000 Mbps 2002년 2003년 2004년
GDDR3 1.8 V 64 레인 900~2484 Mbps 2003년 2003년 2004년
GDDR4 1.5 V 64 레인 1400~2252 Mbps 2005년 2005년 2006년
GDDR5 1.5 V 64 레인 3000~9028 Mbps 2007년 2008년 2008년
GDDR5X 1.5 V 64 레인 10008~11008 Mbps 2015년 2016년 2016년
GDDR6 1.35 V 64 레인 12000~20000 Mbps 2017년 2018년 2018년
GDDR6X 1.35 V 64 레인 19000~21000 Mbps 2020년 2020년 2020년


그래픽 성능이 향상됨에 따라 처리해야 할 데이터의 용량도 늘어났기 때문에 이를 받쳐줄 대역폭이 필요했다. 시스템 메모리에 사용되는 SDRAM이 DDR SDRAM으로 발전되었 듯이 그래픽용 메모리도 이와 비슷한 양상으로 발전하기에 이르렀다. 처음에는 DDR SGRAM으로 알려졌다가 지금은 GDDR SDRAM로 통용되고 있는데, 표준화 조직인 JEDEC에서는 GDDR SGRAM으로만 명시하고 있으므로 공식 명칭은 GDDR SGRAM이 맞다.

용도가 확실한만큼 성능 또한 GPU에 특화된 양상을 보여준다. GPU에서 가장 중요한 읽기/쓰기 속도는 일반 DDR 메모리와는 비교불허의 수준을 갖추었으나, 메모리의 지연시간도 엄청나게 늘어났다. 노스브리지 메모리 컨트롤러와 통상 DDR 메모리의 지연시간을 합한 것보다도 느릴 정도.

단, 이는 그래픽 카드의 특성에 맞추어 설계되었으므로 실제 GPU에서는 문제되지 않는다. CPU는 적고 빠른 코어 몇 개를 이용하여 연산을 진행하기에 캐시, 메모리, 스케쥴링 등이 시시각각 완료되어야 성능 문제를 막을 수 있지만, GPU는 수 백, 수 천 개의 코어들을 이용하여 연산을 수행하므로 메모리의 지연시간이 비교적 길어도 되기 때문이다.

2000년 지포스 256 DDR, 라데온 DDR (7200)을 통해 처음 출시되었으며, GDDR 이후로 성능과 전력 효율을 높이기 위해 DDR 기반의 GDDR2, DDR2 기반의 GDDR2(DDR 기반의 GDDR2와는 다른 규격)와 GDDR3, DDR3 기반의 GDDR4, GDDR5, GDDR5X, DDR4 기반의 GDDR6 순서로 발전했다. 각각 세대별 기술적인 호환성은 없다. 원래는 시스템 메모리의 DDR 규격과 구별하기 위해 그래픽용 DDR을 의미하는 GDDR로 표기되고 있지만 실제 제품에서는 G자를 빼고 사용되는 경우도 있다.

2003년까지는 GDDR을 주력으로 채용했다. 지포스 FX 5800 Ultra, 5700 Ultra 모델에서 DDR 기반의 GDDR2가 채용된 적이 있었지만 상위 모델이었던 FX 5900에서는 안정성이 있는 GDDR로 회귀할 정도로 전압 문제, 과열 문제가 심각했다. 이후 GDDR은 2004년에도 지포스 6800 노멀을 비롯한 일부 하이엔드 모델에서만 채용되었다가 2005년을 마지막으로 더 이상 채택되지 않았다.

2004년에 그래픽카드부터 중저가형은 DDR2 기반의 GDDR2 메모리, 중급형 이상은 DDR2 기반의 GDDR3 메모리가 적용되기 시작했고 2005년 늦가을에 출시된 Xbox 360의 경우는 GDDR3 메모리를 CPU와 GPU가 공유하여 사용하는 특이한 구조로 설계되었다. 2006년부터 더 이상 GDDR이 채택되지 않게 됨으로써 DDR2 기반의 GDDR2와 GDDR3로 양분하고 있었다. 2005년에 GDDR4 메모리를 개발하여 2006년 늦여름에 ATi 라데온 X1900 시리즈 일부 모델에 처음 채택되었으나 기술적인 문제점으로 인해 성능이 GDDR3보다 그다지 향상되지 못했고 전력 소모의 급격한 증가 → 효율 저하로 이어져 널리 사용되지 못했다. NVIDIA는 DDR 기반의 GDDR2로 곤욕을 치른 경험이 있었기에 중급형 이상의 모델에서는 GDDR3에 올인하면서 GDDR4를 건너뛰었다.

2007년에 GDDR5 메모리가 개발되었는데 GDDR4에서 나타난 문제점들이 개선되고 DDR이 아닌 QDR이라고 불러도 좋을만큼 실효 클럭이 더블 펌핑이 아닌 쿼드 펌핑으로 작동하여 장기 집권할 수 있는 원동력이 되었다. 2008년 중반 AMD 라데온 HD 4000 시리즈의 일부 모델부터 채택되어 메모리 클럭이 750~900MHz(실효 클럭 3000~3600MHz)를 시작으로 2000~2250MHz(실효 클럭 8000~9000MHz)대까지 10년 동안 끌어올렸으며, 2016년에 마이크론 테크놀로지에서만 개발된 확장 규격인 GDDR5X가 출시되어 GDDR5와 같은 전압이지만 실효 클럭이 쿼드 펌핑이 아닌 옥타 펌핑으로 뻥튀기되면서 기존 GDDR5보다 훨씬 낮은 클럭으로도 10~11GHz의 실효 클럭을 보여주고 있다.

2018년에 GDDR6가 투입되면서 GDDR5X보다 더 낮은 전압으로 12~16GHz까지 더 높은 실효 클럭을 구현할 수 있다고 한다.

고도의 기술이 사용되는 만큼 가격도 매우 매우 비싸다. 초창기의 GDDR5 메모리는 일반 DDR3 메모리 가격의 10~15배 이상을 호가했고, DDR4 메모리 기준으로도 5~6배 이상의 가격을 자랑한다(...) 이 때문에 최근 그래픽카드 가격이 천정부지로 치솟는 원인으로 지목되기도 하는데, 실제로 보급형 라인의 그래픽 카드 가격에서는 가장 비싼 칩셋과 GDDR5 메모리 파트의 원가가 비슷하기 때문이다. 특히 메모리 반도체 시장을 주도하는 삼성전자가 장기간 이어져온 치킨게임을 끝내면서 메모리 반도체 가격이 배 이상으로 뛰고 있다.

그래픽카드의 세대가 거듭되면서 탑재된 메모리 용량이 대체로 증가되고 있는데 게임의 그래픽 옵션에서 가장 중요한 고해상도 텍스처를 불러오기 위해서는 그만큼의 그래픽 메모리 용량이 필요하다. 2019년 기준 엔트리 레벨의 그래픽 카드는 2~4GB, 메인스트림 그래픽 카드는 4~8GB, 하이엔드 및 플래그쉽 그래픽 카드는 8~16GB가 주로 탑재된다. 그래픽 전용 메모리의 가격이 결코 저렴하지 않다 보니 카드에 장착되는 GPU의 레벨과 더불어 각 레벨의 그래픽 카드 티어를 강제적으로 구분하고 있는 요소이다.

2020년 RTX 30시리즈가 발매되면서, 3070Ti, RTX 3080, RTX 3090에 GDDR6X가 탑재되었다. 마이크론 테크놀로지가 공급하는데, 심각한 문제가 두 가지 있다. 첫째는 공급이 수요를 못따라가서 품귀 현상이 극심하고, 둘째는 메모리 발열이 지나치게 심하다는 점[68]이다.

GDDR6X 메모리의 엄청난 발열 덕분에 이전 상위 라인업에만 들어가던 메모리 온도 센서가 하위 라인업이든 상위 라인업이든 가릴 것 없이 GDDR6X를 사용하는 그래픽 카드엔 대부분[69] 들어가게 되었다.

2021년 AMD 플레이스테이션 5에 들어가는 4700S APU 중 수율이 부족한 몇몇 APU들의 iGPU를 비활성화 한 후 4700S 데스크탑 키트로 판매하고 있다. 이 키트의 가장 큰 특이점은 GDDR6 메모리로 시스템이 작동한다는 것인데, 벤치마킹 일부에서 상술한 일반 DDR 메모리와의 차이점이 드러난다. 메모리 지연시간이 과거 메모리 컨트롤러가 CPU가 아닌 노스브리지에 탑재되던 시기의 펜티엄 D의 수준도 못 미치는 것이다. 실질적 시스템 작동에는 문제가 없는 수준이지만, 메모리 읽기/쓰기 속도에 전념한 메모리임을 다시 알려주는 셈이다.
9.1.2.5. HMC
2011년에 개발된 차세대 메모리로, 복수의 DRAM을 수직 방향으로 적층하는 방식. 메모리뿐만 아니라 CPU, GPU 같은 프로세서 위에서도 적층할 수 있어 컴팩트한 모습으로 더 많은 여유 공간을 확보할 수 있지만 열이 발생하는 부품들이 모두 한곳에 집적된 형태이기 때문에 발열에 민감해지며 성능을 끌어올리기엔 기술적인 난이도가 높아 이를 채택한 상용 제품이 아직까진 없는 상태. 인텔 제온 파이에 쓰였으나, 인텔이 제온 파이를 버리면서 더 이상 사용되지 않는다.
9.1.2.6. HBM
2013년에 선보인 차세대 메모리로, SDRAM(DDR 계열 포함)과 RDRAM과는 완전히 다른 구조를 띤다. 먼저 개발된 HMC의 높은 난이도로 인해 메모리만 적층하는 것으로 절충된 규격으로써 대신에 적층된 메모리와 프로세서 사이를 연결하는 인터포저의 역할이 중요해졌다.

하이엔드~플래그쉽 그래픽 카드에 먼저 적용되었으며, 기존 GDDR SGRAM 대비 낮은 소비 전력과 작은 메모리 컨트롤러 및 물리 계층(PHY) 면적이라는 장점이 있어서 저전력 및 소형화에 유리하다. 문제는 아직 초기라서 그런지 그 인터포저의 제조가 상당히 까다로워서 이를 채용한 제품을 제조하는 업체들이 대량 생산에 어려움을 겪고 있다는 점. 당장은 도입하기 어렵지만 차후에 시스템 메인 메모리에도 적용될 가능성이 높다. 현재는 Radeon VEGA Radeon VII, TITAN V을 제외하면 아직은 탑재된 그래픽카드는 많이 없다. 인텔 제온 플래티넘 94xx(골든 코브) 시리즈 CPU에 64 GB의 HBM2e 메모리가 사용될 예정이다.

자세한 내용은 HBM 문서 참조.

9.2. 비휘발성 RAM

Non-Volatile Random Access Memory. NVRAM

비휘발성 RAM은 기성의 반도체 제품을 제조하는 것과는 다른 소재와 공정이 필요하기 때문에 단가 자체가 비싸며, 연구개발도 개념 제안 정도에 머무르는 경우가 많기 때문에 개별 제품의 단위 용량 역시 보잘 것 없는 경우가 대부분이다. 현재는 주저장매체와 보조저장매체의 이원화된 시스템으로도 고도의 데이터 처리가 가능하기 때문에, 비휘발성 메모리 분야에 대한 거대자본의 투자가 미미한 편이다. 휘발성 메모리 분야와 마찬가지로 원천 특허 역시 이 분야의 터줏대감인 미국의 IBM, 인텔 등이 독식하고 있다.

참고로 넓은 의미인 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)로 보자면 ROM 플래시 메모리마저 이 범주에 속하지만, 둘 다 NVRAM에 부합되지 않는다. ROM은 말 그대로 읽기 전용이고, 플래시 메모리는 특수한 CPU가 아닌 한 일반적으로 플래시 메모리용 CPU 내장 컨트롤러가 따로 없어서 메인 메모리용 RAM처럼 CPU에서 바로 읽기/쓰기 작업을 할 수 없기 때문이다.

9.2.1. MRAM

Magnetoresistive Random-Access Memory, 자기 저항 메모리

오래 전부터 연구가 진행되었으며, 실 사용이 가능한 샘플의 양산도 끝마쳤으나 특성상 소자의 크기를 줄이기가 힘들기에 고밀도화에 난항을 겪고 있다. 박막의 스핀배열이 평행/반평행인지에 따라 저항이 변하는 거대자기저항(GMR) 현상[70]을 이용한 소자이다.

2017년 4월, 삼성전자에서 파운드리 제품에 MRAM을 접목하기로 했다. 출처

2019년 3월 7일 삼성전자에서 MRAM의 양산 시작을 발표했다 정확히는 파운드리 제품 중 임베디드로 MRAM을 넣은 제품의 양산출하 시작이다. 굳이 정정하자면 진작에 양산에 들어간 것. 출처 사용처는 스마트폰 등의 저장장치, eFlash 등의 대용으로 보인다.

9.2.2. STT-MRAM

Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory

스핀 주입 기술을 응용한 MRAM의 일종이다. 현재 차세대 메모리의 표준이 될 것이라는 추측이 많다. 여타 다른 차세대 메모리 중 SRAM의 속도에 가장 근접한 비 휘발성 메모리이다. MRAM의 진화형(2세대 MRAM)으로 보는 시각도 있으며, MRAM의 특성을 그대로 따라간다.

삼성·IBM 합작 연구로 집적도를 11 nm 공정까지 줄이는데 성공하면서 수년 안에 양산할 계획이라 한다. #

9.2.3. PRAM

Phase-change Random Access Memory, PCM

컴퓨터 저장 매체로서의 상 변화 메모리는 전기적 특성에 반응하는 유리 물질인 칼코게나이트계 소재의 상 변화의 특징을 저장 매체의 메커니즘으로 활용한다. 칼코게나이트는 황으로 대표되는 16족인 칼코겐 원소와 상대적으로 음이온보다 양이온이 되기 쉬운 양전성 원소로 구성된 화합물로, 칼코게나이트계 어레이는 저마늄, 안티모니, 텔루륨의 혼합 재제로 만들어 지는 것이 흔하다. 이 제재로 제작된 칼코나이트계 어레이는 섭씨 600도의 온도까지 견딜 수 있어 내구성이 우수하고, 어레이 자체에 물리적인 힘이 가해지지 않는 이상 반영구적이다. 정적 상태에서는 유리질의 결정이 없어 0, 칼코게나이트계 유리질이 결정화되면 1의 값을 갖는다. 여기서의 결정은 전기적 자극으로 형성되거나 없어질 수 있으며, 전원이 차단된 후에도 변화값이 유지되기에 정보 역시 유지된다.

칼코게나이트계 상 변화 메모리는 1960년대부터 미국에서 연구되기 시작했다. 1969년, 아이오와주립대학에서 칼코게나이트계 유리의 특성이 메모리로서의 잠재적인 특성을 갖고 있다는 점을 발표했으며, 이듬해 다이오드 어레이를 이용한 칼코나이트계 필름 시제품을 발표했다. 1970년대부터는 영상, 사진 자료를 저장하는 칼코나이트계 제품이 나오기 시작했다. 1970년대 중반부터는 고든 무어에 의해 인텔 사에서 컴퓨터 저장 반도체 매체로서 본격적인 연구가 시작되었다.

1990년대부터는 상 변화의 특성을 이용한 초보적 제품들이 나오기 시작했다. 전자식 다이오드, 접합형 트랜지스터(BJT), 고속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은 전류/신호 통제장치에 상 변화 어레이가 적용된 것이다. 2004년에는 한 미세전자기계시스템(MEMS)에 상 변화 어레이가 전면 채용되면서 어레이가 PRAM의 형태로 등장했다. 이 시스템은 휴렛팩커드에서 제작했는데 총 125 GB의 용량을 지녔으며, 비휘발성 RAM의 조건인 속도가 고속이고, 전원이 차단되더라도 정보가 유지될 것을 완전히 충족했다. 이러한 콘셉트는 IBM에 의해서 연구되고 있던 밀리페드 메모리 기술과 유사한 것이었다.

2006년에는 삼성이 64 MB 단일 PRAM 칩을 발표했다. 46.7 nm 공정으로 제작된 이 시제품은, 당시 용량 증량 문제로 어려움을 겪던 MRAM과 FeRAM과의 격차를 벌린 것으로 평가된다. 삼성이 시제품을 내놓자 인텔에서도 PRAM 개발에 박차를 가해, 2006년 10월 16 MB의 칩을 시제품으로서 발표했다. 2008년에는 ST마이크로일렉트로닉스가 인텔과 협력해 입체 구조의 PRAM을 발표했며, 2010년에는 인텔에서 알루미늄 안티모니 합금을 이용한 PRAM을 발표하며 PRAM 제조 단가를 획기적으로 낮추는 계기를 마련했다.

2010년 삼성에서는 20 nm 공정의 8 Gbit 칩을 발표했고, 2012년에는 마이크론이 20년 이내에 모바일 기기에서 사용할 수 있을 정도의 PRAM 저장 매체를 양산하겠다고 발표해 PRAM의 본격적인 상업화에 드라이브를 걸었다. 2014년 IBM에서는 자사의 메인프레임 제품의 성능을 비약적으로 향상시킬 수 있는 새로운 I/O모듈을 발표했는데, 낸드 메모리와 PRAM을 함께 이용한 제품이었다. 2015년에는 인텔에서 칼코나이트계 어레이로 RAM을 시험 제작했는데, DDR3 규격의 SDRAM과 유사한 성능을 낼 정도로 성능 면 역시 우수했다. 같은 해, 인텔과 마이크론은 각각이 추진하던 PRAM 연구 개발 프로젝트를 합쳤고, 이 결과가 옵테인 메모리에 사용된 3D XPoint. 그러나, 이후로 RAM과 플래시 메모리의 발전에 3D XPoint는 시장에서 고전했고, 2022년 7월 말, 3D XPoint 사업은 역사 속으로 사라지게 되었다.

9.2.4. RRAM(ReRAM)

Resistive Random-Access Memory, ReRAM, 저항 변화 메모리

부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 메모리. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 재료를 이용한 RRAM이 개발되고 있다.

비휘발성의 특징을 가진 메모리로, SRAM과 달리 백업배터리가 불필요하다. 소비전력이 낮고 작은 칩사이즈로 소규모 패키징이 가능한 것이 장점이다.

EEPROM에 비해 고용량 집적화가 용이하며, NOR FLASH와 NAND FLASH에 비해 속도가 우수하다.

위와 같은 이유로 IoT 관련 제품이나 메디컬 분야, 물류, 보안 분야에서 자주 사용된다.

현재 후지쯔에서 12Mbit ReRAM을 출시하며 용량 부분에서 크게 개선된 점을 확인할 수 있다.

9.2.5. FeRAM (FRAM)

Ferroelectric RAM, FRAM, 강유전체

비휘발성 반도체 메모리라고는 EEPROM 밖에 없었을 때 혜성처럼 등장한 메모리.

9.3. 사용 단자

파일:상세 내용 아이콘.svg   자세한 내용은 단자/데이터 입출력 문서
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RAM 부분을
참고하십시오.

10. 가격 변동

램은 굉장히 가격 변동이 심한 편이다. 매년 성능이 업그레이드되고 기능과 외형이 변화하는 다른 컴퓨터 부품들에 비해 램은 한번 규격을 정해놓고 생산하기 시작하면 다음 규격제품이 대중화 되기 전까지 동일한 제품을 일관되게 생산해서 판매하기 때문에 공산품이라기보다는 원자재에 가까운 부품이기 때문이다. 거기에 더해 다른 원자재와 달리[77] 생산라인이 극도로 편중되어 있어서(2020년대 기준 삼성전자, 하이닉스, 마이크론 3사 점유율이 90%가 넘음) 외부요인에 대단히 크게 출렁인다.

또 신제품이 출시되도 이전 제품과 성능과 가격을 비교해가며 무슨 제품을 사는 것이 소비자에게 얼마나 더 이득인지 계산하는 과정에서 가격대가 저절로 유지되는 CPU 그래픽 카드와는 달리 램은 제품에 상관없이 용량과 성능이 거의 일정하기 때문에 이러한 과정 없이 즉각적으로 가격에 변화가 일어난다.

램은 컴퓨터를 구성하는데 필수적인 부품이면서도 이에 대한 수요는 시장상황에 따라 굉장히 변화무쌍한데, 램을 생산하는 회사의 총 생산량은 거의 변하지않으므로 수요와 공급에 따라 가격이 빠르게 변화한다. 많은 사람들이 컴퓨터를 교체하는 시기나[78] 대기업 회사들이 서버확충 등을 위해 컴퓨터 자원을 대량으로 구축하려고 할 때 등의 시기에 램의 가격이 굉장히 비싸지고 반대로 무난한 시장이라면 생산업체들의 가격경쟁으로 인해 점차 가격이 내려가며 안정화된다. 가장 많이 소비되었던 삼성 DDR4 8GB 램을 기준으로 보면 가장 비쌌을 때는 2017년 10월 16일 기준 148,290 원이었고, 3년뒤 2020년 8월에 가장 저렴한 가격 28,300원 까지 내려갔었다. 이렇게 동일한 제품의 가격이 시기에 따라 무려 5배가 넘는 가격 차이를 기록했다.

10.1. RAM 생산 업체 간의 가격 경쟁

수년 주기로 반도체 업체들 간에 치킨 게임이 반복되고 있다. 가장 최근의 치킨 게임은 2016년 중반 저점을 치며 끝났고 2019년 현재 다시 치킨 게임이 시작된 듯 하다. 이렇게 수년 주기로 치킨 게임이 반복되면서 삼성전자, SK하이닉스, 그리고 마이크론 테크놀로지 세 개 기업이 십여년째 시장을 과점하는 중이다.

한편, 실제 컴퓨터 시장이 큰 미국이나 유럽에서 쉽게 볼 수 있는 램 제조업체들은 팀그룹, GeIL, 지스킬 등이며 오히려 삼성이나 하이닉스는 드물다 보니 "정말 우리나라가 점유율이 높은거냐?" 라고 의심하는 경우가 종종 있지만, 실제로는 그렇지 않다. DRAM의 핵심은 DRAM칩(모듈)이며, DRAM 완제품 회사들은 DRAM칩을 가져다 기판 위에 컨트롤러와 함께 조립해서 DRAM 완제품을 생산할 뿐이다. 결국 대부분의 DRAM 완성품 업체들은 삼성전자, 하이닉스, 마이크론 3사의 DRAM 모듈을 가져다 만드는 것이고 DRAM칩에 적힌 생산회사를 보면 위 3사이다. 커스텀이나 수율 좋고 성능 좋은 제품들은 결국 상기한 기업들 에서 만든 모듈 중에 수율이 좋은 모듈들을 선별하여 만들 뿐이다. 또한 완제품과 마찬가지로 컴퓨터 부품에 있어서 리테일 시장은 일부에 불과하며 시장의 대부분을 차지하는 기업 및 국가기관 시장에는 거의 삼성 및 하이닉스, 가끔 마이크론 제품이 들어가 있는 수준이고 각종 스마트 기기와 임베디드 시스템, 게임기 등의 내부를 보아도 삼성과 하이닉스 램 모듈을 매우 쉽게 발견할 수 있다. 덧붙여 여기서 삼성과 하이닉스의 점유율을 합하면 75%에 달하고, 마이크론이 20% 수준이라 이 세 기업만으로 점유율 95%에 달한다. 즉, 한국 회사와 미국 회사 외에는 발도 들이밀지 못하고 있는 상황.[79]

여하튼 이러한 치킨게임의 결과 DRAM 시장은 한국 회사들이 꽉 잡고 있는 상태가 유지되고 있다. 메인보드 시장을 대만 회사들이 꽉 잡고 있는 것과 비슷하지만, 여기서 중요한 것은 메인보드 시장은 RAM 시장의 규모 및 부가가치에 상대가 안된다는 점이다. 상기에도 썼듯이 삼성전자나 SK하이닉스는 완제품 DRAM도 만들지만, 단순히 칩셋을 가져다가 DRAM을 조립해서 만들기만 하는 회사가 아니라 DRAM칩을 직접 생산하는 것의 의의가 크며 메인보드는 각 필요한 부품과 칩셋을 가져다가 기판에 조립하는 것에 가깝다. 물론 좋은 메인보드를 만드려면 당연히 노하우나 그에 따른 기술력도 필요하지만, 의외로 노동집약적인 경향이 있고 저부가가치의 산업인 편으로 애당초 사업 규모나 이익 레벨에서 메모리 반도체 영역과 비교가 안된다. 메인보드 시장에서 꽤나 잘나가는 ASUS, GIGABYTE, MSI 등 대만 기업들의 시가총액이나 매출액, 영업이익[80]은 애당초 삼성전자의 반도체사업부만 떼놓고 봐도 그렇고 SK하이닉스보다도 훨씬 떨어진다. 어느정도 차이냐면 저 세 곳의 시가총액을 합해도 SK하이닉스 하나를 못이긴다는 것. 오히려 대만에서 알짜로 볼만한 것은 파운드리 업계에서 1인자를 차지하고 있는 TSMC 정도이다.[81]

반복되는 치킨 게임의 결과 다른 회사들이 다 망하고 위 세 개 기업들이 전 세계 램 시장을 거의 장악하는 상황이 지속되자 소비자들에게는 진정한 재앙이 시작되었다. 램값이 무시무시하게 폭등하기 시작한 것이다. 1년 만인 2017년 여름 램값은 네 배 가량 대폭등했다. 라이젠과 커피레이크 등 고성능 CPU가 속속 출시되었지만 램 값이 비싸도 너무 비싸 시스템을 새로 맞추는 것을 엄두도 못내는 상황이 되었다. 커피레이크 i5-8400이 벌크로 19만원대, 하스웰 i3를 뛰어넘는 성능의 G4560(카비레이크)가 벌크로 5만 원대에 판매되고 있는 있는 와중에 이에 맞는 시스템을 구축하기 위해 16G 램을 구입하는데 20만 원이 넘게 드는 어처구니 없는 상황이 도래하고 말았다.

참고로 위 3사 외에도 GEIL이나 G.SKILL, TeamGroup 같은 고성능 튜닝램 브랜드도 있다. 물론 이경우는 상기에 쓴 대로 직접 생산이라기보단 모듈을 갖고와서 수율 좋은 놈으로 튜닝램 제품을 만들어 내는 것이 보통. 가격이 싼 타무즈나 메모리를 직접 생산하면서 튜닝램까지 만드는 크루셜( 마이크론 테크놀로지)도 있다[82]. 성능 자체는 나쁘지 않으나 점유율은 상당히 낮다. 이외에 메모리 모듈의 제조능력이 있는 기업이나 기관은 많지만 기술력이 뒤처져 위 3사 수준의 성능과 수율을 맞출 수가 없어 일반 소비자 입장에서는 볼 일이 없다.

2005년 5월부터 2009년 9월까지만 해도 SDRAM 시장 주력은 DDR2였으나, 2009년 9월 이후부터는 DDR3가 시장의 주력으로 전환되었고, 2014년에 DDR4가 도입되었을 때에도 여전히 DDR3가 주력이었다. 2017년에 들어서야 DDR4가 시장의 주력으로 전환되었다. 그래도 DDR4는 구조적으로 DDR3과 차이가 적은 만큼 빠른 가격 하락에 힘업어 이전 세대에 비하면 빠르게 보급된 편이다.

과거에도 무시무시한 치킨 레이스가 벌어졌던 부품으로, 2011년 초에는 DDR3 PC3-10600 SDRAM 2GB 제품이 2만 원대 초반의 가격이었지만, 1년도 지나지 않아 동년도 4분기에는 DDR3 PC3-10600 SDRAM 4GB의 가격이 2만 원 밑으로 떨어지기도 했다. 2012년 1월에는 시스템 램 용량을 8GB 이상으로 구성하더라도 가격 부담이 아주 적었다.

그런데 2012년 2월 말, 세계 3위 반도체 기업 엘피다 메모리가 파산 신청을 하면서, 램 가격이 오르기 시작했다. 사실상 한국 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 치킨 레이스에서 승리한 셈. 이 소식이 전해지자 가격이 하루 만에 몇 천 원씩 오르기도 했다.

삼성전자에서 DDR4 DRAM을 개발했다고 한다. 2012년부터 양산한다고 했다. #

삼성전자에서 2013년에 반도체 투자를 대폭 축소한다는 기사가 나왔다. # 2012년 대비 30% 이상 줄인다고 했다.

2017년 후반기 들어 램값이 폭등하면서 램 16GB짜리 시스템을 맞추는데 램값만 20만원이 넘게 들어가는 배보다 배꼽이 큰 사태가 발생했다. 이는 DDR3 SDRAM라고 다르지 않지만, DDR3 PC3-10600 SDRAM 8 GB는 여전히 3만 원 후반대를 유지중이다. DDR3 PC3-12800 SDRAM은 12만 원을 넘나든다. 급하게 램 증설이 필요한 DDR3 유저들의 마지막 희망줄이다. 이것도 8~9월 이후로는 12800이나 10600이나 가격차가 없다. 애초에 DDR3 PC3-10600 SDRAM 8GB는 매물 자체가 거의 없다.샌디브릿지, 아이비브릿지 때문이네

2017년 10월 즈음부터 삼성전자와 하이닉스가 중국 반도체 업체를 막기 위해 치킨 게임을 시작하면서( 관련 기사) 램 값이 엄청난 속도로 떨어지기 시작했다가 2018년 상반기에는 또다시 상승하여 삼성전자 및 하이닉스 등이 사상 최대 실적을 기록, 2019년부터 2020년까지는 수요주기의 소강기 및 코로나의 영향으로 안정화되는 등 올랐다 내렸다의 반복이 이어지고 있다.

자세한 가격 변동은 하단 내용을 참고.

10.2. 가격 변동의 역사

빨간색: 연중 최고가  /  파란색: 연중 최저가
【 2017년 이전 】
2013년

2013년 3월 6일 기준 4기가 램이 19,000원에서 4만 2천 원으로 두 배 이상 뛰었다. 2013년 6월 23일 기준으로 삼성전자 메모리를 알아보면 2GB 메모리는 25,000원대, 4GB는 45,000원대 8GB는 무려 110,000원대였다.

2013년 7월 23일 기준 DDR3 12800 4GB가 3만 7천 원대, 10600이 3만 8천 원대였고, DDR3 12800 2GB는 1만 7천 원, 10600은 2만 4천 원대였다.

2013년 9월 5일 SK하이닉스 중국 공장에 화재가 발생하여 그 여파로 D램 가격이 올랐다.

2014년

치킨 게임이 끝나고 업체들의 담합이 시작되었는지 2014년에는 DDR3 12800 4GB가 몇 달째 37,000원에서 변하지 않았다.

2014년 하반기에 DDR4가 출시됐다. 출시 초기라서 그런지 동일 용량 기준으로 DDR3의 2배 가격이다.

2014년 6월, 삼성에서 DDR4 램의 가격을 낮추는 동시에 DDR3도 낮추었다. DDR4는 8GB기준 77,000원 DDR3는 58,000(!!)

2015년

2015년 7월 14일, DDR3 램의 가격이 전체적으로 내려간 상태. 4GB가 25,000원으로 거의 3~4년 전으로 돌아갔다.

2015년 8월 10일, DDR4 램의 가격이 8GB에 69,000원이며 DDR3은 56,000원이다.

2015년 10월 16일, DDR4 램의 가격이 지속적으로 떨어지는 중이다. DDR4 램은 8GB에 49,200원이며, DDR3 램은 8GB에 42,400원에 구입할 수 있다.

2015년 10월 20일 즈음하여 DDR3와 DDR4 16GB 램이 시중에 팔리고 있다. 가격은 115,000원 내외이며 최근 출시되는 Z170 보드가 64GB까지 램 지원이 가능하므로 이를 이용해 정말 64GB까지 램 구현이 가능해졌다.

현재는 수요를 공급이 못 따라간다는 점, 2D 낸드를 3D 낸드로 전환하는 기간이라 그런지 램값이 매우 높은 편.

2016년

2016년 2월 9일, 8GB DDR3 램의 가격은 37,000원, DDR4 가격은 약 40,000원이다.

2016년 6월 5일, 8GB DDR3가 30,900원, DDR4가 30,200원이 되면서 DDR4가 DDR3보다 더 가격이 낮아졌다.

2016년 7월 7일, 8GB DDR4의 가격이 갑자기 4만 원으로 폭등했다.

2016년 10월 22일, 8GB DDR4의 가격이 5만 원대 초반으로 이전보다 더 비싸졌다!

2016년 10월 30일, 8GB DDR3 약47000 DDR4 47000 같은 가격이다. 가격이 내려가지 않는다.

2016년 11월 15일, 8GB DDR4 50000 이상.

【 2017년 】
2017년 1월 01일, DDR4 8GB의 가격은 65,000원으로 서서히 상승세를 보이고 있다.

2017년 1월 26일, DDR4 8GB의 가격은 68,000원으로 꾸준히 상승세를 보이고 있다.

2017년 5월 27일, DDR4 8GB의 가격은 63,300원으로 약간 떨어졌다.

2017년 7월 11일, DDR4 8GB의 가격은 78,000원~87,000원으로 폭등했다.

2017년 8월 24일, DDR4 8GB의 가격은 93,976원이다.(평균가)

2017년 9월 23일, DDR4 8GB의 가격이 드디어 10만 원을 찍었다!

2017년 9월 28일, DDR4 8GB의 가격은 109,660원이다.(최저가)

2017년 10월 13일, DDR4 8GB의 가격은 139,500원을 찍었다…

2017년 10월 15일, DDR4 8GB의 가격은 140,090원을 찍었다. DDR4 16GB는 무려 272480원.

2017년 10월 16일, DDR4 8GB의 가격은 148,290원을 찍었다. 현재까지 기록된 가장 높은 8GB 가격이다.

2017년 10월 23일, DDR4 8GB의 가격이 127,100원으로 내렸다!

2017년 10월 28일, DDR4 8GB의 가격은 97,900원이다.

2017년 11월 04일, DDR4 8GB의 가격은 95,700원이다. 1달도 안 된 사이에 5만 원가량이 떨어진 것이다!

2017년 11월 09일, DDR4 8GB의 가격은 84,700원이다.

2017년 11월 12일, DDR4 8GB의 가격은 82,450원이다.

2017년 11월 16일, DDR4 8GB의 가격은 98,650원이다. 수능 막바지 시즌이라 잠깐 가격이 오른 것으로 추정된다.

2017년 11월 17일, DDR4 8GB의 가격은 96,080원이다.

2017년 11월 18일, DDR4 8GB의 가격은 88,000원이다. 다시 8만 원대로 내려가고 있다. 가격이 내려가고 있는 건 수요가 줄거나 공급이 늘어서가 아니라 삼성전자의 D램 증산 소식 때문으로 보인다.

2017년 11월 25일, DDR4 8GB의 가격은 84,000원이다.

2017년 12월 05일, DDR4 8GB의 가격은 83,100원이다.

2017년 12월 18일, DDR4 8GB의 가격은 85,200원이다. 떨어질 생각을 안 한다.

2017년 12월 24일, DDR4 8GB의 가격은 84,700원이다.

【 2018년 】
2018년 1월 05일, DDR4 8GB의 가격은 88,000원, 16GB의 가격은 172,000원이다. 18년이 되면 램 가격이 30% 오른다는 소문이 돌았으나 그 소문은 틀린 것으로 보인다.

2018년 1월 09일, DDR4 8GB의 가격은 91,730원이다.

2018년 1월 19일, DDR4 8GB의 가격은 88,320원, 16GB는 ECC 183,200원, Non-ECC 196,900원이다. 희한하게도 8GB 19200이 17000보다 싸다.

2018년 2월 23일, DDR4 8GB의 가격은 93,570원, 16GB의 가격은 192,240원이다.

2018년 3월 11일, DDR4 8GB의 가격은 83,000원, 16GB의 가격은 177,300원이다.

2018년 4월 05일, DDR4 8GB의 가격은 81,400원, 16GB의 가격은 170,200원이다.

2018년 4월 24일, DDR4 8GB의 가격은 80,100원, 16GB의 가격은 167,200원이다.

2018년 6월 02일, DDR4 8GB의 가격은 79,200원, 16GB의 가격은 163,800원이다.(19200 기준)[83]

2018년 6월 05일, DDR4 8GB의 가격은 79,000원, 16GB의 가격은 163,500원이다.

2018년 6월 16일, DDR4 8GB의 가격은 77,700원, 16GB의 가격은 162,500원이다.

2018년 6월 25일, DDR4 8GB의 가격은 79,600원, 16GB의 가격은 161,400원이다.(19200 기준) 8GB 램은 어쩐 일인지 다시 오르고 있다...

2018년 7월 26일, DDR4 8GB의 가격은 77800원(현금), 82070원(카드), 16GB 가격은 159900원(현금), 170260원(카드) (19200 기준). 6월 말~7월 초까지 잠깐 올라갔다가 이제서야 6월 중반과 비슷한 가격으로 돌아왔다.

2018년 9월경 인텔의 CPU 공급 부족으로 인한 CPU 가격 폭등으로 노트북의 생산량이 줄어들고, 그에 따라 노트북에 장착될 RAM도 갈 곳을 찾지 못 하고 시장으로 나와 램 가격이 하락할 것으로 전망된다.

2018년 9월 보급형 ESSENCORE KLEVV 시리즈가 등장하며 8GB 가격을 67000원대로 확 낮췄다.

2018년 11월 24일 삼성 DDR4 8GB 가격은 67600원, DDR4 16GB 가격은 136,000원이다.

【 2019년 】
  • 2019년부터 삼성 DDR4램에 B다이가 단종되고 T다이가 추가되었다. 따라서 삼성램의 구매 이유 중 하나인 램오버가 잘 안 되어 구매할 이유가 줄어들었다 삼성 램 다이 설명 인텔 기준 국민오버 정도는 되지만 AMD에서는 국민오버도 어렵고 과거 삼성 B C다이보다 더 쳐진다. 가격 대비 에쎈코어 클레브 램이 더 유리하다.

2019년 1월 06일, DDR4 8GB 19200의 가격은 66,000원, 21300은 64,600원이다. 2666MHz(21300) 제품이 2400MHz(19200) 제품보다 가격이 싸졌다.

2019년 1월 21일, DDR4 8GB 21300의 가격은 59,980원이다.

2019년 2월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격은 55,300원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 2월 13일, DDR4 8GB 21300의 가격은 53,900원이다.(다나와 기준)

2019년 2월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 55,000원(현금)이다.(다나와 기준)[84][85]

2019년 3월 06일, DDR4 8GB 21300의 가격은 48,900원이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 4월 05일, DDR4 8GB 21300의 가격은 43,200원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 5월 28일, DDR4 8GB 21300의 가격은 38,000원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 6월 11일, DDR4 8GB 21300의 가격은 34,400원(현금), 16GB는 72,800원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 6월 25일, DDR4 8GB 21300의 가격은 30,700원(현금), 16GB는 65,600원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 7월 02일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,800원(현금), 16GB는 60,600원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 7월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격이 43,500원(현금), 16GB는 82,000원(현금)으로 갑자기 폭등했다.[86](삼성램, 다나와 기준)

2019년 10월 17일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,910원(현금), 16GB는 66,040원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 10월 29일, DDR4 16GB 21300의 가격은 무려 60,150원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 11월 18일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,600원(현금), 16GB는 67,410원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

【 2020년 】
2020년 1월 17일, DDR4 8GB 21300의 가격은 42,410원(현금), 16GB는 86,700원(현금)으로 또다시 폭등했다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 2월 19일, DDR4 8GB 21300의 가격은 35,500원(현금), 16GB는 70,900원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 3월 15일, DDR4 8GB 21300의 가격은 39,650원(현금), 16GB는 77,800원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 3월 30일, DDR4 8GB 21300의 가격은 36,100원(현금), 16GB는 70,500원(현금), 32GB는 144,000원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 4월 1일, DDR4 8GB 21300의 가격은 44,180원(현금), 16GB는 84,630원(현금), 32GB는 173,450원(현금)으로 다시 올랐다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 4월 14일, DDR4 8GB 21300의 가격은 34,600원(현금) 16GB는 68,600원(현금)으로 재폭락. (삼성 램, 다나와 기준) 삼성도 25600의 출시를 앞둔 상황이기 때문에[87] 가격이 하향평준화 되고 있다.

2020년 4월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,700원(현금) 16GB는 66,300원(현금)으로 완만한 하락세를 이어가고 있다. (삼성램, 다나와 기준)

2020년 5월 12일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,710원(현금) 16GB는 65,800원(현금)이다. (삼성램, 다나와 기준)

2020년 5월 31일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,500원(현금) 16GB는 64,700원(현금)이다.

2020년 6월 18일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,200원(현금) 16GB는 65,000원(현금)이다.

2020년 7월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격은 31,290원(현금) 16GB는 63,490원(현금)이다.

2020년 7월 28일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,980원(현금) 16GB는 59,500원(현금)이다.

2020년 8월 4일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,890원(현금) 16GB는 58,100원(현금)이다.

2020년 8월 6일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,600원(현금)이다.

2020년 8월 7일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,500원(현금) 16GB는 57,600원(현금)이다.

2020년 8월 7일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,400원(현금) 16GB는 57,400원(현금)이다.

2020년 8월 11일 오전 2시, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,390원(현금)이다.

2020년 8월 11일 오후 2시, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,300원(현금) 16GB는 57,200원(현금)이다.

2020년 8월 12일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,500원(현금) 16GB는 57,100원(현금)이다.

2020년 9월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,900원(현금) 16GB는 54,400원(현금)이다. 이유를 알 수 없지만 16기가가 심각하게 싸졌다.

2020년 10월 1일, DDR4 8GB 21300의 가격은 31610원(현금) 16GB는 54,140원(현금)

2020년 12월 5일, 전일 마이크론 램 공장 정전 사태를 빌미로 판매상이 물량을 묶고 담합하여 삼성 DDR4 8GB 21300의 가격이 불과 3일전 28,480원에서 하루만에 32,890원으로 급등, 삼성 DDR4 8GB 25600은 4만원을 돌파했다. 마이크론 DDR4 8GB 25600 또한 31,450원에서 34,500원으로 하루만에 급등했다. 한편 이 사태가 실제 공급량에는 거의 영향을 주지 않은 것으로 분석되어 커뮤니티 각지에서는 용팔이들의 소행으로 추측하고 있다.

【 2021년 】
2021년 6월 15일, 삼성전자 DDR4-3200 (8GB)의 가격은 39,280원(카드), 삼성전자 DDR4-3200 (16GB) 80,500원(현금) 83,520(카드)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2021년 6월 15일, 마이크론 Crucial DDR4-3200 CL22 (8GB)의 가격은 35,700원(현금), 35,810원(카드), 마이크론 Crucial DDR4-3200 CL22 (16GB) 77,620(카드)이다.(삼성램, 다나와 기준)

【 2022년 】
2022년 초에 DDR5 제품이 판매되기 시작하면서 DDR4의 가격이 내려가기 시작했다. 2022년 전반적으로 메모리 가격이 하락했고, 이에 따라 DRAM가격이 하락하면서 DDR5, DDR4 가격이 모두 많이 내려갔다. (여담으로 삼성전자와 SK하이닉스의 매출과 이익 또한 매우 하락했다)

2022년 2월, 삼성전자 DDR4-3200 (8GB)의 가격은 37,500원, 삼성전자 DDR4-3200 (16GB) 76,700원, 삼성전자 DDR5-4800 (16GB) 182,720원이다.(삼성램, 다나와 카드가 기준)

2022년 6월, 삼성전자 DDR4-3200 (8GB)의 가격은 32,280원, 삼성전자 DDR4-3200 (16GB) 62,900원, 삼성전자 DDR5-4800 (8GB)의 가격은 58,520원, 삼성전자 DDR5-4800 (16GB) 117,760원이다.(삼성램, 다나와 카드가 기준)

2022년 10월, 삼성전자 DDR4-3200 (8GB)의 가격은 24,200원, 삼성전자 DDR4-3200 (16GB) 49,460원, 삼성전자 DDR5-4800 (8GB)의 가격은 34,080원, 삼성전자 DDR5-4800 (16GB) 61,590원이다.(삼성램, 다나와 카드가 기준)

【 2023년 】
2023년 삼성전자 기본 램(시금치 램) 다나와 최저가 (카드 기준, 배송비 불포함)
기준일 DDR4-3200
8GB
DDR4-3200
16GB
DDR5-4800
8GB
DDR5-4800
16GB
DDR5-4800
32GB
DDR5-5600
8GB
DDR5-5600
16GB
3월 29일 19,600원 40,000원 24,740원 46,950원 - 29,500원 51,280원
재고 처리를 위함인지 낮은 가격대에 램을 풀어 DDR4 8GB는 2만원대를 뚫어버렸다. 덩달아 DDR5-4800 램 가격도 급락해 출시 초기인 2021년~2022년과 대비했을 때 무려 3분의 1 수준까지 떨어졌다. DDR5-5600은 23년 2월에 출시했는데 4800의 램 가격이 너무 낮아 그보다 약간 높은 수준에 가격이 책정되었다. 그마저도 2월보다도 떨어진 가격이다.
4월 9일 21,400원 42,610원 25,110원 50,280원 - 30,550원 52,060원
삼성전자가 4월 7일 감산 소식을 발표하자마자 일제히 가격이 소폭 상승했다.
4월 13일 22,860원 46,270원 25,930원 56,540원 124,640원 34,900원 161,980원
삼성전자의 감산 소식 이후로 일부 제품군의 가격을 급격히 인상했다. 특히 DDR5-5600 16GB의 가격이 급격한데, 게시글에 따르면 DDR5-5600 16GB는 매물도 없고 삼성전자에서 제조 자체를 중단했다고 한다. 허수아비의 영상역시 비슷한 이야기를 하고 있다. 즉, 불량률 자체가 급증한 것으로 보인다. 이러한 요인으로 가격이 급격히 상승한 것으로 보인다.
5월 8일 24,480원 46,980원 25,830원 54,610원 126,900원 29,930원 64,990원
감산 소식 이후로 계속 가격이 조금씩 오르고 있으나, 오히려 낮아진(DDR5-4800 16G, DDR5-5600 8G) 케이스도 있다. DDR5-5600 16GB는 가격이 내려왔으나 급상승 이전만큼의 가격은 아니다.
7월 8일 19,140원 37,060원 25,580원 46,850원 114,650원 24,930원 46,460원
감산한다는 기사가 있었음에도 오히려 가격은 계속 낮아지기 시작해 이제는 최저점을 뚫어버렸다.
7월 27일 17,490원 34,980원 24,190원 46,160원 106,990원 23,010원 43,400원
지난 3월 29일 이후 감산 소식으로 가격이 오름세였던 가격이 두 달만에 3월 29일 저점 기록을 또 경신했다. 다만 삼성전자는 재고가 5월에 피크아웃(정점 후 하락)에 진입했으며, 하반기에 감산 효과가 나타날 것이라고 밝혀 추후 가격에 변동이 생길 여지는 있다.

11. 주소할당 문제

항목 참조

12. 기타

13. 관련 문서


[1] 오버클럭이 용이한 튜닝램. 방열판이 일체형으로 탑재되어 있다. [2] 물론 CPU엔 레지스터 캐시 메모리가 있지만 용량이 매우 적다. [3] 반면 CPU는 그 책상에서 일하는 작업자로 비유되곤 한다. CPU는 연산 능력을 책임지는 장치이기 때문. 참고로 캐시 메모리는 작업자가 책상에 처리해야 할 자료를 신속하게 올리고 내릴 수 있도록 바로 붙어있는 서랍에 대응된다. [4] 초기 하드 디스크 이름이 RAMAC(Random Access Method of Accounting and Control)이며 자기 테이프 대비 가장 큰 장점을 지칭했다. [5] Random Access Memory라는 정의상으로는 그렇다는 뜻이다. 자유롭게 쓰는게 가능하다는 특징과 그렇지 않다는 특징이 실제 상품으로서는 매우 큰 차이점인지라 현실적으로는 램과 롬을 서로 대비되는 메모리라고 본다. [6] 물리적 전자공학적으로 순식간에 휘발되지는 않는다. 이는 RAM마다 조금씩 차이가 있다. 예를 들어 SRAM은 전원이 차단되자마자 즉시 데이터가 지워지지만, DRAM은 전원이 차단되자마자 그 즉시 데이터가 지워지는 것은 아니며 대략 5분 정도의 시간이 걸리는데 이는 DRAM은 내부에 전류를 일시적으로 저장하는 역할을 하는 축전기가 들어가 있기 때문으로 액체 질소등으로 냉각시킬 경우 1주일 정도는 데이터가 저장 가능하다고 한다. 그러나 이 특성이 전원이 끊어진 상태에서 데이터 신뢰성이 보장 된다는 말은 아니니 비휘발성 메모리라고 취급하진 않는 것이 원칙이다. [7] 램 정보를 보면 25600, 38400 등이 써져 있는데, 대역폭을 가리키는 것이며 이는 동작 클럭의 8배이다. 예를 들어, 클럭이 3200MHz이면 대역폭은 3200 × 8 = 25600이다. [8] PCIe 4.0을 지원하는 NVMe SSD를 6개 이상을 RAID 0으로 구성하면 순차 읽기/쓰기 한정으로는 더 빨라질 수도 있으나 랜덤 읽기/쓰기 속도의 한계, 레이턴시 문제로 램을 완전히 대체할 수는 없다. [9] 다만 어디까지나 병목 현상이 많이 완화된거지 주기억장치 램의 속도는 보조기억장치보다 월등하게 빠르다. [10] 인텔 제온 시리즈, AMD EPYC 시리즈, AMD Threadripper 시리즈 등 프로슈머용 혹은 서버용 CPU만 3채널 이상을 지원한다. [11] 주로 mATX 메인보드와 ATX 메인보드에서 메모리 슬롯 4개가 주로 보이며 mATX의 경우 주로 메모리 슬롯이 2개만 지원하는 메인보드들도 많다. 워크스테이션/서버에 쓰이는 메인보드들의 경우 ATX나 ATX보다 더 확장된 E-ATX 규격으로 메모리 슬롯 4개는 물론이고 6개 이상인 경우도 많다. [12] 즉, RAM 용량이 8 GB이면 작업관리자에서 '사용 중'으로 나오는 용량이 5.6 GB 이상, RAM 용량이 16 GB이면 사용중인 용량이 11.2 GB 이상인 경우. [13] HIMEM.SYS 버전 2.77이상 혹은 이에 상응하는 메모리 관리자를 사용하는 경우 한정 [14] QEMM386 등의 별도의 메모리 관리자를 사용하는 경우 한정 [15] Win 3.x QEMM386 등의 별도의 메모리 관리자를 사용하는 경우와 DOSBox 환경 한정 [16] 512 MB 초과 시 MS-DOS 프롬프트 사용 불가능 [17] PAE 환경에서 최대 32(2000), 64(XP) GB까지 인식 가능 [18] XP 64비트 환경 한정 [19] 서드파티 장치를 통하면 최대 736 kB까지 장착이 가능하다. [20] 메모리 확장 기능이 없기에 기본 메모리의 상한인 640 kB까지만 인식한다. [21] 그림판, 메모장, 워드패드 등 [22] 2.1이 갓 나왔던 1988년 기준이며 이 때는 기본 메모리의 상한인 640 KB조차 고용량으로 느껴지던 시기였다. 당시의 16 MB는 2020년대의 192 GB에 필적하는 위상을 자랑했다. [23] MS-DOS 6.0 이상 [24] 64 MB 이하는 STOP:0xA5 오류, 16 MB 이하는 중요 시스템 파일이 없다는 이유로("다음 파일이 없거나~(생략)"라고 뜨는 오류를 말한다. 실제로는 램 부족) 부팅 모드 선택 단계에서 더 이상 진행되지 않으며 4 MB는 "윈도우 NT 기반에서 구동할 수 있는 최소 램 용량(7 MB)에 미달하여 진행할 수 없습니다." 라는 특수 오류가 뜬다. [25] 참고로 1989년에 출시된 모델이다. 당시 128 MB는 2020년대의 1.5 TB에 필적하는 위상을 자랑했다. 이런 초고용량 메모리 확장이 가능했던 이유는 메인보드에 30핀 RAM 슬롯을(슬롯 하나가 16 MB) 무려 8개나 때려박았기 때문이다. [26] 다만 Windows Vista~7 한정으로 2011년까지는(윈도우 7 서비스팩 발매 직후) 간단한 인터넷, 음악재생, 영상재생이 가능한 듯하다. [27] 인터넷 웹서핑, 간단한 게임, 문서 작업 등 [28] 서버 2000 Advanced, Datacenter 버전, 서버 2003, 2008 Enterprise, Datacenter 버전 제외. 이 버전들은 최대 8GB ~ 64GB까지 지원한다. [29] DDR2 메모리에서 사용 가능한 조합으로 듀얼 채널로 동작하나 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다. [30] 내장그래픽은 RAM 용량의 일부를 내장그래픽의 VRAM으로 할당해서 쓰기 때문에 내장그래픽에 할당된 RAM을 제외하면 5~7GB 밖에 쓸 수 없다. 따라서 내장그래픽을 쓴다고 하면 내장그래픽에 할당될 RAM 용량을 고려해서 최소 16GB(8GB x 2 조합으로) 이상 장착하는 것이 좋다. [31] 특히 노트북 환경에서. 최근에는 램이 LPDDR4X/LPDDR5 온보드 형태로 나오는 노트북들이 많아 게임을 할 사람은 애초부터 램 확장 슬롯이 있는 모델, 온보드 16 GB 모델을 사거나 아예 데스크탑으로 넘어간다. [32] DDR2 / DDR3 메모리에서 사용 가능한 조합으로 듀얼 채널로 동작하나 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다. [33] 갈수록 최적화 상태가 나빠지는 최신 AAA급 게임을 울트라 옵션으로 원활히 돌리기 위해서는 32 GB 이상의 메모리가 필요하다. [34] 다만 무엇보다 그래픽 카드가 어느 정도 받쳐줘야 하는데 적어도 GeForce 20 이상의 그래픽 카드를 장착해야 한다. [35] 프로레벨 편곡에 사용되는 수준의 가상악기는 제품 하나에 수십기가는 우습고, 시리즈 라이브러리를 많이 보유하고 있는 회사의 제품의 전 시리즈를 인스톨하면 가상악기 제품 한 개 라이브러리 크기가 500GB에 육박하기도 한다. [36] DDR3 메모리에서 사용 가능한 조합으로 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다. [37] 흔히들 가성비 노트북이라 부르는 G,U 계열 프로세서+내장그래픽이 탑재된 50~100만원대 노트북 [38] DDR4 메모리에서 사용 가능한 조합으로 메인보드에 따라 이 조합이 정상적으로 인식되지 않는 경우가 있다. [39] 간혹 스펙상으로는 8+16=24 GB 까지만 지원한다고 표기되어 있으나 실제로는 8+32=40 GB까지 지원되는 노트북도 있다. [40] DDR4 혹은 DDR5 램을 사용하는 컴퓨터에서 2~4개의 슬롯을 주로 사용하는 mATX나 ATX 규격의 메인보드가 아닌 E-ATX 메인보드에 16GB로 8개 슬롯을 전부 사용하여 구성하는 경우로 대표적으로 서버 인텔 코어 X 시리즈 라이젠 스레드리퍼를 사용하는 엔트리급 워크스테이션에서 구성하는 경우가 많다. [41] 업데이트 이전에는 96GB가 최대였으나 업데이트 이후 제한이 해제되었다. [42] 초기 버전 펌웨어의 경우 32GB 이하의 DDR5 단일 램만 사용이 가능하며 DDR5 24GB 램과 48GB 램은 사용할 수 없다. [43] TLC QLC SSD의 경우 DRAM 대신 SLC 캐싱 영역을 할당해 캐시 겸 버퍼로 사용하기도 하며(디램리스), 이들 중 고급 제품의 경우 DRAM 캐시와 SLC 캐시를 모두 가지고 있기도 하다. [44] Flip-Flop. 기초적인 원리는 입력을 받으면 그 입력을 초기화 명령을 받기 전까지 내부에서 루프를 돌려서 유지하는 것. 외부의 에너지 공급이 없으면 에너지 손실로 빠른 시간 안에 정지된다. [45] 리프레시가 필요없기에 접근 시간이 리프레시를 필요로 하는 DRAM보다 빠르다. [46] 멀리 갈 것 없이 가정용 컴퓨터의 초기 역사에서는 SRAM이 메인 메모리로 자주 쓰였다. 코모도어 인터내셔널의 PET, VIC-20이나 TRS-80의 일부 모델 등에 SRAM이 메인 메모리로 사용되었다. 마찬가지로 게임기에서도 메인 메모리 및 비디오 메모리로 많이 쓰였으며 예로 패밀리 컴퓨터, 게임보이 등이 있다. 4~5세대부터 SRAM에서 DRAM으로 넘어가기 시작했으며(예시로 슈퍼 패미컴은 메인 메모리는 DRAM, 그래픽 및 사운드 메모리는 SRAM이다) 그로 인한 대역폭 부족을 메꾸고자 RDRAM같은 고속 메모리를 사용하기도 했다. [47] 이상적으로는 스위치가 off 되면 전류가 흐르지 않아 방전이 일어나지 않아야 하지만 실제로는 커패시터와 연결된 스위치가 off되더라도 미세한 전류가 흐르기 때문에 방전된다. [48] 첫 번째 영역은 메모리 배열로부터 출력 스테이지(latch)로 엑세스 하는 단계, 두 번째 영역은 래치(latch)에서 데이터 버스가 동작하는 단계. [49] JEDEC 표준 기준. 오버클럭 메모리는 이보다 더 높은 클럭을 지원한다. [50] 3.2Gb/s 대역폭 성능문제에 집착 [51] intel i845 칩셋 [52] 예시로 인텔 기준으로 서버/워크스테이션에는 하스웰 세대에 DDR4가 적용되었지만 일반 소비자용 제품에는 다음 아키텍처인 스카이레이크 세대에 DDR4가 적용되었다. 다만 일반 데스크톱 프로세서용 소켓을 사용하는 제온 E3 제품군은 스카이레이크 세대에 전환되었다. [53] 인텔로 치자면 Gear1, Gear2, Gear4 모드이며, AMD로 치자면 IF(Infinity fabric)이다. [54] 수율이 아무리 좋아도 4800MHz에서조차 Gear1이 안 되며, AMD는 6600MHz까지 UCLK:MCLK는 1:1 모드가 지원되나, FCLK가 2000MHz를 넘기기가 힘들어 완전한 1:1 모드는 아니다. [55] 듀얼일코어일 경우 2개 이하, 쿼드코어일 경우 4개 이하,옥타코어일 경우 8개 이하인 셈이다. [56] 5600MHz 기준 4000MHz 수준까지 내려간다. 다만 듀얼채널이어도 메모리 칩셋 슬롯을 2개만 지원하는 메인보드는 2개를 모두 장착하여 풀뱅시키면 클럭이 내려가지 않고 그대로 유지된다. [57] x64 기반 [58] 1066 MHz(8.5 GB/s)인 모델까지 개발되었다. [59] 2133 MHz(17.1 GB/s)인 모델까지 개발되었다. [60] 4266 MHz(34.1 GB/s)인 모델까지 개발되었다. [61] 2019년에 5500 MHz(44 GB/s)인 모델이 먼저 생산되었고, 2020년에 6400 Mhz인 모델이 생산되었다. [62] 2022년 상반기에 7500 MHz(60 GB/s)인 모델이 먼저 생산되었고, 동년 하반기에 8533 MHz인 모델이 생산되었다. 2024년 2월 기준 9600 MHz(76.8 GB/s)인 모델까지 개발되었다. [63] 아직 JEDEC 표준 스펙은 아니고 제안 단계이다. [64] 다만 노트북임에도 온보드 메모리로 LP 규격 RAM을 탑재시킨 제품도 많다. [65] 뒤에 X가 붙은것은 기술적 개선이 아닌 단순 오버클럭 버전이다. [66] 단, 2023년 상반기 삼성 제품에 탑재된 LPDDR5X는 동시기 타사 제품에 탑재된 8533 MHz가 아닌 7500 MHz 제품이 탑재되었다. 이는 마이크론과 SK하이닉스가 8533 MHz LPDDR5X를 먼저 양산하는 동안 삼성은 그러지 못했기 때문이다. 삼성은 2023년 중반이 돼서야 뒤늦게 8533 MHz LPDDR5X를 양산하기 시작했고, 이는 갤럭시 Z 플립5/ 갤럭시 Z 폴드5 갤럭시 탭 S9 시리즈에 최초로 탑재되었다. 물론 삼성에서 탑재한 7500 MHz 역시 LPDDR5X며 8533 MHz와 비교해볼 때 1000 MHz 정도의 체감 속도 차이는 거의 없다고 봐도 무방하다. [67] 2E, 4X, 5X처럼 업그레이드 된 신제품은 제조사가 우선 개발하고 JEDEC에 제안하여 표준 스펙에 포함시키는게 일반적으로 5T도 JEDEC에 표준 스펙으로 만들기 위한 절차를 진행하고 있고 마무리 단계라고 한다. [68] 100도를 넘는다 [69] FE외 온도 센서가 없는 그래픽 카드들이 몇 개 있다고 한다. [70] 흔히 스핀 밸브라고 한다. [71] 10년동안 0.03나노초당 1회씩 기록할 경우 10조번을 사용할 수 있다 [72] 천만개당 0의 불량율 [73] 한국 및 아시아권에서는 (주)젬스톤코리아에서 유통을 담당한다. [74] Head-Up Display [75] Tire Pressure Monitoring System [76] Audio Video & Navigation [77] 식량같은 경우 대량 수출국이 있긴 하지만 각나라도 어느정도 생산을 다들 하고, 강철같은 경우 램보다 훨씬 생산 국가가 다양하다. [78] 주로 다음 세대의 CPU 그래픽 카드가 출시되었을 때 이런 현상이 나타난다. [79] 한 때 한국의 DRAM 산업을 넘자고 열심히 미세공정 뻥카(...)를 치며 분발했던 일본의 엘피다 메모리는 2010년대 초반 치킨게임에 패배해서 결국 마이크론에 흡수당했고, 한 때 이쪽분야 갑중갑이었던 자존심을 구기게 되었다. 일본내에 존재하는 엘피다의 DRAM 팹들은 현재 마이크론 일본의 DRAM 생산 팹으로 활용되고 있다. [80] 물론 메인보드 뿐만 아니라 노트북이나 PC, 기타 사업들을 다 포함한 가치. [81] 대만 내 1위의 시가총액이며 삼성전자와 시가총액 1위~2위를 넣고 엎치락 뒤치락하고있다. [82] 하이닉스도 결과적으로 에센코어가 있긴 하지만, 해당 문서에도 언급하다시피 직접적인 자회사 관계조차 아니기 때문에 크루셜-마이크론 관계에 비빌 순 없다. [83] DDR4 8GB 21300은 94,900원. 16GB 21300은 177,700원이다. 삼성전자 다시마램 다나와 기준 [84] 삼성 램 [85] 장터에 용산 업자들이 개인적으로 등록한 제품은 현금가 52,000원까지 떨어졌다. [86] 2019년 일본의 대한국 경제 보복 조치에 따른 여파로 생각하는 사람들이 있지만, 사실은 이와 무관한 용팔이들의 횡포다. 라이젠 3세대의 출시와 방학이 겹치며 PC 수요가 급증할 조짐을 보이자 용팔이들이 농간을 부리고 있는 것. 전 세대 AMD보드나 인텔 CPU 가격도 급변하고 있다. 특히 램의 경우 일본 수출규제라는 핑계거리가 생겨 램의 가격을 집중적으로 올리고 있는 것. 일부 판매업자들이 일본 수출규제로 램이 유통이 안되고 있다는 배송지연 안내문을 띄웠지만, 메모리 제조사 측에서는 제품 공급을 전혀 줄이지 않았다고 밝혔다. 즉 현재 램 가격 폭등은 100% 용팔이들의 농간인 것이다. 7월 11일 서울경제신문에서 일본을 핑계로 가격을 올리고 있는 용팔이들을 저격하는 기사가 나왔다. "삼성 D램 품귀"…日 수출규제에 편승한 장삿속 '눈살'. 또 용팔이들의 횡포를 규제해달라는 청원이 국민청원 게시판에 올라오기도 했다. 사실 용팔이가 부르는 게 값이다. [87] 정작 삼성 25600의 경우 출시 후 애매한 가격과 성능으로 좋지 않은 판매량을 보였다. [88] 일부 메인보드는 높은 쪽에 맞추기도 한다. 하지만 이 경우 안정성이 떨어지므로 여기에 해당한다면 동일한 클럭으로 맞춰야 한다. [89] 인텔 CPU의 경우 코어2 듀오/쿼드 시기까지는 메인보드에 노스브릿지와 사우스브릿지를 탑재하여 노스브릿지에서 메모리 속도를 인식한 경우가 많았지만 이후 인텔 코어 i 시리즈/1세대(네할렘)부터는 노스브릿지가 없어지고 대신 CPU 내부에 메모리 컨트롤러가 내장하는 방식으로 변경되었고 AMD는 2003년에 출시한 AMD 애슬론 64 시리즈에도 이미 메모리 컨트롤러를 내장하고 있었다. [90] 인텔(P시리즈, Z시리즈 및 X시리즈), AMD(X시리즈). 이 중 인텔 P시리즈 칩셋은 2020년대 현재 기준으로 이미 10년 이상 지난 구형으로 2008~2011년 시기까지 사용한 메인보드 칩셋 명칭으로 대표적으로 샌디브릿지 메인보드로 나온 P67 칩셋이 있다. [91] 단 CPU가 지원하는 램 속도 정도의 램 오버클럭은 가능한 경우가 있다. [92] 어쌔신크리드나 오버워치는 최대 수십 프레임씩 차이가 나기도 한다. [93] 이런 시스템들은 메모리 오류가 나면 전부 점검하기 번거롭기에 메모리 장착/교체 시에 한 번에 한 채널씩 한다. 문제가 생기면 어디에 문제가 있는지 알아내기 쉽기 때문. [94] Non-ECC UDIMM에 ECC 칩만 추가된 것으로 ECC를 사용하지 않는 컨슈머용 플랫폼에서도 대부분 호환된다. 다만 보드와 CPU가 ECC를 지원하지 않으면 비트 오류 보정은 지원하지 않는다. [95] 버퍼(레지스터)가 추가되어 더 많은 개수/용량의 구성이 가능하다. [96] 버퍼가 데이터 신호까지 제어할 수 있다. [97] ECC 램을 사용하는 C2xx 시리즈 보드에서 사용이 가능하지만 ECC 기능 자체는 사용할 수 없다 [98] APU를 제외한 전 라인업 ECC 지원이다. [99] 1990년대의 금값은 현재의 5분의 1에 불과했다. 한 돈짜리 금반지를 5만원에 맞추던 시대다. [100] 8 GB 구성 자체는 2005년 4월에 출시된 955X 칩셋의 메인보드부터 가능했으나, 비싼 HEDT 라인이라 널리 채택된 구성이 아니었다. 2006년 6월 965 칩셋부터는 일반 가정용 보드에도 구축할 수 있게 되었으나, 이 역시 고사양 유저 한정이었고 2007년 DDR3가 처음 도입된 X38, P35, G33 칩셋의 보드, DDR2만 지원하는 G35, G31 칩셋의 보드, 2008년 DDR2와 DDR3가 혼재된 X48, P45, P43, G45, G43, G41 칩셋의 보드들도 마찬가지로 8 GB 구성은 고사양 유저들의 전유물 취급이었으며 4 GB 이하가 대부분이었다. 2008년 DDR3만 지원하는 X58 칩셋의 보드와 조합된 블룸필드 CPU는 애초에 트리플 채널을 지원하는 고가형이라 일반 가정용이라기보단 HEDT 라인에 가까웠으므로, 8 GB 유저층이 얇은 것은 2009년 9월 린필드 CPU가 나오기 직전까지 이어졌다. [101] DDR4 SDRAM 제품은 4 GB 용량부터 판매되었다. [102] 오류 코드를 친절하게 띄워 준다면 좀 찾기 쉽기는 하다. 다만 램 번호 붙이는 순서를 모를 수도 있는데 보통 설명서에 나와 있고 없다면 제조사 홈페이지에서 받으면 된다. 케이스 옆에 붙이었는 부팅 시 RAM 불러오는 순서와는 다를 수도 있다. [103] 반대로 교체시 가장 어려운 부품은 메인보드이다. 램은 고정대를 풀고 뜯으면 그만이지만 메인보드는 일단 CPU 팬, CPU, 램, 기타 상황에 따라서 그래픽카드도 탈거하고 메인보드에 연결된 모든 선을 다 뺀 다음에 가이드(USB포트)도 뜯고 어쩌고 저쩌고... 아무튼 많이 복잡하며 또한 귀찮다. [104] Apple T2 탑재 모델 및 Apple Silicon 탑재 모델은 다 SSD가 납땜이라 애초에 교체가 불가능하고, 리볼링 등을 동원해 교체하더라도 Mac Pro를 제외하고는 페어링이 불가능해 사용이 불가하다. [105] 다만 이는 보증기간 내에서 불량이 발생했을 경우에 한한다. 즉, 보증기간이 지나 불량이 발생한다면 차라리 새 제품을 사는 게 낫다. [106] 그래서 동급 삼성 램보다 가격이 비싼 편이다. 격세지감 쩐다 [107] AMD RYZEN 시리즈 자체도 그 이전 세대인 옛날 CPU들에 비해서는 불량률이 매우 높다는 얘기가 있다. [108] 흔히 시금치램이라고 부르는 삼성 메모리가 많이 해당된다.